Analysis of transistor sizing and folding effectiveness to mitigate soft errors

• Main Author: Assis, Thiago Rocha de
• Other Authors: Reis, Ricardo Augusto da Luz
• Format: Others
• Language: English
• Published: 2011
• Subjects: Microeletrônica; Cmos; Deteccao : Erros; Tolerancia : Falhas; Radiation effects; Single event effect; Transistor sizing; Folding; Microelectronics; Fault tolerance; Soft errors
• Online Access: http://hdl.handle.net/10183/31135

Este trabalho apresenta uma avaliação da eficiência do dimensionamento e particionamento (folding) de transistores para a eliminação ou redução de efeitos de radiação. Durante o trabalho foi construído um modelo de transistor tipo-n MOSFET para a tecnologia 90nm, utilizando modelos preditivos. O transistor 3D modelado foi comparado com o modelo de transistor elétrico PTM level 54 da Arizona State University e os resultados mostraram uma coerência entre os dispositivos. Este transistor modelado foi irradiado por uma série de partículas que caracterizam ambientes terrestres e espaciais. Foi descoberto que a técnica de redimensionamento de transistores tem sua eficiência relacionada ao tipo de partícula do ambiente e não é aplicável em ambientes com partículas com alta energia. Descobriu-se também que aplicando o particionamento de transistores é possível reduzir a amplitude e a duração de erros transientes. A combinação do dimensionamento e o particionamento de transistores pode ser utilizada para a redução de efeitos de radiação incluindo partículas leves e pesadas. Por fim um estudo de caso foi realizado com uma célula de memória estática de 6 transistores utilizando as técnicas mencionadas anteriormente. Os resultados da célula de memória indicaram que a combinação das duas técnicas pode de fato reduzir e até impedir a mudança do estado lógico armazenado na célula. === In this work the transistor sizing and folding techniques were evaluated for SET robustness in a 90nm MOSFET technology using a 3D device model. A n-type MOSFET transistor using a 90nm technology predictive profile was modeled and functional behavior compared with PTM level 54 model showing a fit of the device with the PTM. During simulations the modeled device was irradiated in a simulation environment using particles with the profile of sea and space level ions. The radiation effects simulation had indicated that the transistor sizing can be more or less efficient to reduce SET according to the collected charge. It was found that for environments with high energy particle, transistor sizing was not able to reduce soft errors intensity. The use of folding has shown significant reduction of the amplitude and duration of the transient pulse, making this technique very useful to reduce soft errors. For alpha particles and heavy ions the combination of transistor folding and sizing had shown to be an effective combination to enhance the reliability of the circuits. A 6T SRAM cell was modeled to evaluate transistor sizing and folding techniques and the results confirmed the efficiency of folding plus sizing to reduce the effects of radiation.