氧離子佈植對MOS結構抗輻加固的影響
碩士 === 國立清華大學 === 電機工程研究所 === 78 === MOS 元件經過照輻射后, 元件的功能明顯地變差, 此因氧化層電荷及界面能態增加的 關系, 為了研究改善MOS 元件抗輻射效果, 我們采用氧離子穿透氧化層的布植方法. 各有三種氧離子佈植量與佈植能量以及兩種輻射劑量, 四種照輻射時的偏壓等不同條 件, 加於N 型基層和P 型基層的MOS 結構. 此篇選用三種實驗方法, 包括: 1.高頻電容測量法...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1990
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/49436383746354186974 |