Design Techniques for 0.35 μm SiGe BiCMOS High-Speed OEIC Applications
博士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 97 === 本論文針對10 Gb/s光纖通訊系統和高動態影像感測提出創新設計技巧，以期達到高效能光電積體電路之設計。這些設計概念分別以3組10 Gb/s的光纖接收前端電路和高動態範圍單一像素讀出電路來展示，並且以標準的0.35 um SiGe BiCMOS製程來實現這些積體電路，實驗結果呈現出來的電路效能皆優於目前文獻。 針對光纖接收前端電路提出的寬頻技巧分別為：以電容性射極回授阻抗(Capacitive Emitter Degeneration，CED)產生一個零點來補償轉阻放大器(Transimpedance Amplifier...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2009
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/29608432340475409467 |