Etude et simulation physique des effets parasites dans les HEMTs AlGaN/GaN

Le développement des systèmes de télécommunication et de transfert d’informations motive la mise au point de systèmes de transmission qui permettent des débits plus élevés sur des distances plus grandes. De ce fait, les transistors utilisés dans ces systèmes doivent fonctionner à des fréquences et d...

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Bibliographic Details
Main Author: Lachèze, Ludovic
Other Authors: Bordeaux 1
Language:fr
Published: 2009
Subjects:
GaN
Online Access:http://www.theses.fr/2009BOR13975/document