Etude physique et technologique d'architectures de transistors MOS à nanofils

Etude physique et technologique d'architectures de transistors MOS à nanofils

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Il a été démontré que la structure gate-all-around en nanofils de silicium peut radicalement supprimer les effets de canaux courts. De plus, l'introduction d'espaceurs internes entre ces nanofils peut permettre de contrôler la tension de seuil, à l'aide d'une deuxième grille de c...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Tachi, Kiichi
Other Authors: Grenoble
Language:fr
Published: 2011
Subjects:
Transistors CMOS
Transistor nanofils
Mobilité
Intégration 3D
CMOS transistors
Nanowire transistors
Mobility
3D integration
620
Online Access:http://www.theses.fr/2011GRENT084/document

Internet

http://www.theses.fr/2011GRENT084/document

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