Caractérisation et modélisation de la fiabilité relative au piégeage dans des transistors décananométriques et des mémoires SRAM en technologie FDSOI
L’industrie microélectronique arrive aujourd’hui à concevoir des transistors atteignant quelquesdizaines de nanomètres. A de telles dimensions, les problématiques de fiabilité et de variabilité des dispositifsprennent une ampleur toujours plus importante. Notamment, le couplage de ces deux difficult...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2015GRENT003/document |