Electrical characterization & modeling of the trapping phenomena impacting the reliability of nanowire transistors for sub 10nm nodes
Dans les technologies CMOS avancées, les défauts microscopiques localisées à l'interface Si (Nit) ou dans l'oxyde de grille (Nox) dégradent les performances des transistors CMOS, en augmentant le bruit de basse fréquence (LFN). Ces défauts sont généralement induits par le processus de fabr...
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| Language: | en |
| Published: |
2019
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2019GREAT010/document |