The Features of Phase Stability of GaN and AlN Films at Nanolevel
Recently, two-dimensional gallium and aluminum nitrides have triggered a vast interest in their tunable optical and electronic properties. Continuation of this research requires a detailed understanding of their atomic structure. Here, by using first-principles calculations we reported a systematic...
| الحاوية / القاعدة: | Nanomaterials |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | Ilya V. Chepkasov, Sergey V. Erohin, Pavel B. Sorokin |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
MDPI AG
2020-12-01
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/2079-4991/11/1/8 |
مواد مشابهة
Multi-channel AlN/GaN Schottky barrier diodes
حسب: Hanchao Li, وآخرون
منشور في: (2025-01-01)
حسب: Hanchao Li, وآخرون
منشور في: (2025-01-01)
Two-Dimensional Electron Gas in Thin N-Polar GaN Channels on AlN on Sapphire Templates
حسب: Markus Pristovsek, وآخرون
منشور في: (2024-09-01)
حسب: Markus Pristovsek, وآخرون
منشور في: (2024-09-01)
Energetics of Interfaces and Strain Partition in GaN/AlN Pseudomorphic Superlattices
حسب: Theodoros Karakostas, وآخرون
منشور في: (2023-08-01)
حسب: Theodoros Karakostas, وآخرون
منشور في: (2023-08-01)
Highly Homogeneous Current Transport in Ultra-Thin Aluminum Nitride (AlN) Epitaxial Films on Gallium Nitride (GaN) Deposited by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
حسب: Emanuela Schilirò, وآخرون
منشور في: (2021-12-01)
حسب: Emanuela Schilirò, وآخرون
منشور في: (2021-12-01)
Studies on Carrier Recombination in GaN/AlN Quantum Dots in Nanowires with a Core–Shell Structure
حسب: Jun Deng, وآخرون
منشور في: (2020-11-01)
حسب: Jun Deng, وآخرون
منشور في: (2020-11-01)
Temperature Characterization of Unipolar-Doped Electroluminescence in Vertical GaN/AlN Heterostructures
حسب: Weidong Zhang, وآخرون
منشور في: (2021-10-01)
حسب: Weidong Zhang, وآخرون
منشور في: (2021-10-01)
Crystalline AlN Interfacial Layer on GaN Using Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
حسب: Il-Hwan Hwang, وآخرون
منشور في: (2021-04-01)
حسب: Il-Hwan Hwang, وآخرون
منشور في: (2021-04-01)
Prototypes of Highly Effective Stress Balancing AlN Interlayers in MOVPE GaN-on-Si (111)
حسب: Cai Liu, وآخرون
منشور في: (2025-09-01)
حسب: Cai Liu, وآخرون
منشور في: (2025-09-01)
Effect of AlN Cap Layer on Polarization Coulomb Field Scattering in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor
حسب: Qianding Cheng, وآخرون
منشور في: (2025-09-01)
حسب: Qianding Cheng, وآخرون
منشور في: (2025-09-01)
Light Output Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Based on AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors Grown on Si (111) Substrates
حسب: Yibin Yang, وآخرون
منشور في: (2020-09-01)
حسب: Yibin Yang, وآخرون
منشور في: (2020-09-01)
GaN/AlN Multi-Quantum Wells Infrared Detector with Short-Wave Infrared Response at Room Temperature
حسب: Fengqiu Jiang, وآخرون
منشور في: (2022-06-01)
حسب: Fengqiu Jiang, وآخرون
منشور في: (2022-06-01)
Few-Layer Graphene as an Efficient Buffer for GaN/AlN Epitaxy on a SiO2/Si Substrate: A Joint Experimental and Theoret-ical Study
حسب: Denis Petrovich Borisenko, وآخرون
منشور في: (2022-11-01)
حسب: Denis Petrovich Borisenko, وآخرون
منشور في: (2022-11-01)
The propagation characteristics of acoustic surface waves and the applications of power ultrasound based on AlN/GaN piezoelectric thin films
حسب: Tao Zhang, وآخرون
منشور في: (2025-09-01)
حسب: Tao Zhang, وآخرون
منشور في: (2025-09-01)
Stress-Relaxed AlN-Buffer-Oriented GaN-Nano-Obelisks-Based High-Performance UV Photodetector
حسب: Pargam Vashishtha, وآخرون
منشور في: (2022-12-01)
حسب: Pargam Vashishtha, وآخرون
منشور في: (2022-12-01)
Miniature Mesa Extension for a Planar Submicron AlGaN/GaN HEMT Gate Formation
حسب: Moath Alathbah, وآخرون
منشور في: (2022-11-01)
حسب: Moath Alathbah, وآخرون
منشور في: (2022-11-01)
24.4 W/mm X-Band GaN HEMTs on AlN Substrates With the LPCVD-Grown High-Breakdown-Field SiN<sub><italic>x</italic></sub> Layer
حسب: Junji Kotani, وآخرون
منشور في: (2023-01-01)
حسب: Junji Kotani, وآخرون
منشور في: (2023-01-01)
Demonstration of Acceptor-Like Traps at Positive Polarization Interfaces in Ga-Polar P-type (AlGaN/AlN)/GaN Superlattices
حسب: Athith Krishna, وآخرون
منشور في: (2022-05-01)
حسب: Athith Krishna, وآخرون
منشور في: (2022-05-01)
Physics-Based TCAD Simulation and Calibration of 600 V GaN/AlGaN/GaN Device Characteristics and Analysis of Interface Traps
حسب: Yu-Lin Song, وآخرون
منشور في: (2021-06-01)
حسب: Yu-Lin Song, وآخرون
منشور في: (2021-06-01)
Progress in Near-Equilibrium Ammonothermal (NEAT) Growth of GaN Substrates for GaN-on-GaN Semiconductor Devices
حسب: Tadao Hashimoto, وآخرون
منشور في: (2022-08-01)
حسب: Tadao Hashimoto, وآخرون
منشور في: (2022-08-01)
GaN Monolithic PWM Generator With Dynamic Offset Compensation
حسب: Katia Samperi, وآخرون
منشور في: (2023-01-01)
حسب: Katia Samperi, وآخرون
منشور في: (2023-01-01)
Improved DC and RF Characteristics of GaN-Based Double-Channel HEMTs by Ultra-Thin AlN Back Barrier Layer
حسب: Qian Yu, وآخرون
منشور في: (2024-09-01)
حسب: Qian Yu, وآخرون
منشور في: (2024-09-01)
Vertical GaN‐On‐GaN Micro‐LEDs for Near‐Eye Displays
حسب: Zichun Li, وآخرون
منشور في: (2025-10-01)
حسب: Zichun Li, وآخرون
منشور في: (2025-10-01)
Phonons in Short-Period GaN/AlN Superlattices: Group-Theoretical Analysis, <em>Ab initio</em> Calculations, and Raman Spectra
حسب: Valery Davydov, وآخرون
منشور في: (2021-01-01)
حسب: Valery Davydov, وآخرون
منشور في: (2021-01-01)
The Effect of Interface Diffusion on Raman Spectra of Wurtzite Short-Period GaN/AlN Superlattices
حسب: Valery Davydov, وآخرون
منشور في: (2021-09-01)
حسب: Valery Davydov, وآخرون
منشور في: (2021-09-01)
MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
حسب: Haruka Matsuura, وآخرون
منشور في: (2019-04-01)
حسب: Haruka Matsuura, وآخرون
منشور في: (2019-04-01)
Unidirectional Operation of p-GaN Gate AlGaN/GaN Heterojunction FET Using Rectifying Drain Electrode
حسب: Tae-Hyeon Kim, وآخرون
منشور في: (2021-03-01)
حسب: Tae-Hyeon Kim, وآخرون
منشور في: (2021-03-01)
Realization of Electrically Driven AlGaN-Delta-GaN QW DUV Micro-LEDs at 265 nm
حسب: Bryan Melanson, وآخرون
منشور في: (2025-01-01)
حسب: Bryan Melanson, وآخرون
منشور في: (2025-01-01)
Novel Bidirectional ESD Circuit for GaN HEMT
حسب: Pengfei Zhang, وآخرون
منشور في: (2025-01-01)
حسب: Pengfei Zhang, وآخرون
منشور في: (2025-01-01)
Research Progress and Development Prospects of Enhanced GaN HEMTs
حسب: Lili Han, وآخرون
منشور في: (2023-06-01)
حسب: Lili Han, وآخرون
منشور في: (2023-06-01)
Highly Reliable Temperature Sensor Based on p-GaN/AlGaN/GaN Hybrid Anode Diode with Wide Operation Temperature from 73 K to 573 K
حسب: An Yang, وآخرون
منشور في: (2023-04-01)
حسب: An Yang, وآخرون
منشور في: (2023-04-01)
Analysis of electrical properties in lateral Schottky barrier diode based on n-GaN and AlGaN/GaN heterostructure
حسب: Honghui Liu, وآخرون
منشور في: (2022-11-01)
حسب: Honghui Liu, وآخرون
منشور في: (2022-11-01)
Passivation of Surface States in GaN by NiO Particles
حسب: Martin Velazquez-Rizo, وآخرون
منشور في: (2022-01-01)
حسب: Martin Velazquez-Rizo, وآخرون
منشور في: (2022-01-01)
AlGaN/GaN HEMT on a free-standing GaN substrate with record 85.2% power-added efficiency at 2.45 GHz
حسب: Toshihiro Ohki, وآخرون
منشور في: (2025-01-01)
حسب: Toshihiro Ohki, وآخرون
منشور في: (2025-01-01)
Combined Implications of UV/O<sub>3</sub> Interface Modulation with HfSiO<sub>X</sub> Surface Passivation on AlGaN/AlN/GaN MOS-HEMT
حسب: Soumen Mazumder, وآخرون
منشور في: (2021-01-01)
حسب: Soumen Mazumder, وآخرون
منشور في: (2021-01-01)
Simulation Study on the Structure Design of p-GaN/AlGaN/GaN HEMT-Based Ultraviolet Phototransistors
حسب: Haiping Wang, وآخرون
منشور في: (2022-12-01)
حسب: Haiping Wang, وآخرون
منشور في: (2022-12-01)
TCAD analysis of the high-temperature reverse-bias stress on AlGaN/GaN HEMTs
حسب: Franco Ercolano, وآخرون
منشور في: (2025-03-01)
حسب: Franco Ercolano, وآخرون
منشور في: (2025-03-01)
Investigation of Forward Tunneling Characteristics of InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes on Freestanding GaN Detached from a Si Substrate
حسب: Moonsang Lee, وآخرون
منشور في: (2018-07-01)
حسب: Moonsang Lee, وآخرون
منشور في: (2018-07-01)
Electrothermal Failure Physics of GaN Schottky Diodes Under High-Temperature Forward Biasing
حسب: Nahid Sultan Al-Mamun, وآخرون
منشور في: (2025-02-01)
حسب: Nahid Sultan Al-Mamun, وآخرون
منشور في: (2025-02-01)
Optical Properties of GaN Thin Flim
حسب: Salma M. Shaban
منشور في: (2009-12-01)
حسب: Salma M. Shaban
منشور في: (2009-12-01)
Adsorption Characteristics of an AlGaN/GaN Heterojunction on Potassium Ions
حسب: Yan Dong, وآخرون
منشور في: (2025-06-01)
حسب: Yan Dong, وآخرون
منشور في: (2025-06-01)
مواد مشابهة
-
Multi-channel AlN/GaN Schottky barrier diodes
حسب: Hanchao Li, وآخرون
منشور في: (2025-01-01) -
Two-Dimensional Electron Gas in Thin N-Polar GaN Channels on AlN on Sapphire Templates
حسب: Markus Pristovsek, وآخرون
منشور في: (2024-09-01) -
Energetics of Interfaces and Strain Partition in GaN/AlN Pseudomorphic Superlattices
حسب: Theodoros Karakostas, وآخرون
منشور في: (2023-08-01) -
Highly Homogeneous Current Transport in Ultra-Thin Aluminum Nitride (AlN) Epitaxial Films on Gallium Nitride (GaN) Deposited by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
حسب: Emanuela Schilirò, وآخرون
منشور في: (2021-12-01) -
Studies on Carrier Recombination in GaN/AlN Quantum Dots in Nanowires with a Core–Shell Structure
حسب: Jun Deng, وآخرون
منشور في: (2020-11-01)
