Post-Moore Memory Technology: Sneak Path Current (SPC) Phenomena on RRAM Crossbar Array and Solutions
The sneak path current (SPC) is the inevitable issue in crossbar memory array while implementing high-density storage configuration. The crosstalks are attracting much attention, and the read accuracy in the crossbar architecture is deteriorated by the SPC. In this work, the sneak path current probl...
| الحاوية / القاعدة: | Micromachines |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | Ying-Chen Chen, Chao-Cheng Lin, Yao-Feng Chang |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
MDPI AG
2021-01-01
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/2072-666X/12/1/50 |
مواد مشابهة
Assessment of functional performance in self-rectifying passive crossbar arrays utilizing sneak path current
حسب: Ziang Chen, وآخرون
منشور في: (2024-10-01)
حسب: Ziang Chen, وآخرون
منشور في: (2024-10-01)
An efficient read approach for memristive crossbar array
حسب: Pravanjan Samanta, وآخرون
منشور في: (2023-07-01)
حسب: Pravanjan Samanta, وآخرون
منشور في: (2023-07-01)
Analysis of Leakage Current of HfO<sub>2</sub>/TaO<sub><i>x</i></sub>-Based 3-D Vertical Resistive Random Access Memory Array
حسب: Zhisheng Chen, وآخرون
منشور في: (2021-05-01)
حسب: Zhisheng Chen, وآخرون
منشور في: (2021-05-01)
Sneak Circuit Analysis: Lessons Learned from Near Miss Event
حسب: James Li
منشور في: (2017-03-01)
حسب: James Li
منشور في: (2017-03-01)
Spike-Timing Dependent Plasticity in Unipolar Silicon Oxide RRAM Devices
حسب: Konstantin Zarudnyi, وآخرون
منشور في: (2018-02-01)
حسب: Konstantin Zarudnyi, وآخرون
منشور في: (2018-02-01)
Modeling of Bilayer Modulated RRAM and Its Array Performance for Compute-in-Memory Applications
حسب: Jia-Wei Lee, وآخرون
منشور في: (2023-01-01)
حسب: Jia-Wei Lee, وآخرون
منشور في: (2023-01-01)
First Report of Freesia sneak virus in Freesia spp. in Korea
حسب: Ju-Yeon Yoon, وآخرون
منشور في: (2013-12-01)
حسب: Ju-Yeon Yoon, وآخرون
منشور في: (2013-12-01)
Current Pulses to Control the Conductance in RRAM Devices
حسب: Hector Garcia, وآخرون
منشور في: (2020-01-01)
حسب: Hector Garcia, وآخرون
منشور في: (2020-01-01)
Low-voltage programming of RRAM-based crossbar arrays using MOS parasitic diodes
حسب: Sachin Maheshwari, وآخرون
منشور في: (2025-07-01)
حسب: Sachin Maheshwari, وآخرون
منشور في: (2025-07-01)
Investigation of the Temperature Effect on Electrical Characteristics of Al/SiO<sub>2</sub>/n++-Si RRAM Devices
حسب: Piotr Wiśniewski, وآخرون
منشور في: (2022-09-01)
حسب: Piotr Wiśniewski, وآخرون
منشور في: (2022-09-01)
3D Geometric Engineering of the Double Wedge-Like Electrodes for Filament-Type RRAM Device Performance Improvement
حسب: Jianxun Sun, وآخرون
منشور في: (2020-01-01)
حسب: Jianxun Sun, وآخرون
منشور في: (2020-01-01)
Effects of the Operating Ambiance and Active Layer Treatments on the Performance of Magnesium Fluoride Based Bipolar RRAM
حسب: Nayan C. Das, وآخرون
منشور في: (2022-02-01)
حسب: Nayan C. Das, وآخرون
منشور في: (2022-02-01)
Impacts of Cu-Doping on the Performance of La-Based RRAM Devices
حسب: Yongte Wang, وآخرون
منشور في: (2019-07-01)
حسب: Yongte Wang, وآخرون
منشور في: (2019-07-01)
Atomic Layer-Deposited HfAlOx-Based RRAM with Low Operating Voltage for Computing In-Memory Applications
حسب: Zhen-Yu He, وآخرون
منشور في: (2019-02-01)
حسب: Zhen-Yu He, وآخرون
منشور في: (2019-02-01)
Resistive Random Access Memory (RRAM): an Overview of Materials, Switching Mechanism, Performance, Multilevel Cell (mlc) Storage, Modeling, and Applications
حسب: Furqan Zahoor, وآخرون
منشور في: (2020-04-01)
حسب: Furqan Zahoor, وآخرون
منشور في: (2020-04-01)
Improved Performance of HfxZnyO‐Based RRAM and its Switching Characteristics down to 4 K Temperature
حسب: Jun Lan, وآخرون
منشور في: (2023-03-01)
حسب: Jun Lan, وآخرون
منشور في: (2023-03-01)
Bipolar resistive switching in Ag/VO2(B)/SiOx/n++Si RRAM
حسب: Jiaping Li, وآخرون
منشور في: (2022-01-01)
حسب: Jiaping Li, وآخرون
منشور في: (2022-01-01)
Enhancing the Electrical Uniformity and Reliability of the HfO<sub>2</sub>-Based RRAM Using High-Permittivity Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub> Side Wall
حسب: Mei Yuan, وآخرون
منشور في: (2018-01-01)
حسب: Mei Yuan, وآخرون
منشور في: (2018-01-01)
Enhancement of Resistive and Synaptic Characteristics in Tantalum Oxide-Based RRAM by Nitrogen Doping
حسب: Doohyung Kim, وآخرون
منشور في: (2022-09-01)
حسب: Doohyung Kim, وآخرون
منشور في: (2022-09-01)
Effect of Doping Different Cu Valence States in HfO<sub>2</sub> on Resistive Switching Properties of RRAM
حسب: Jin Yang, وآخرون
منشور في: (2022-06-01)
حسب: Jin Yang, وآخرون
منشور في: (2022-06-01)
True Random Number Generator Based on the Variability of the High Resistance State of RRAMs
حسب: Maryam Akbari, وآخرون
منشور في: (2023-01-01)
حسب: Maryam Akbari, وآخرون
منشور في: (2023-01-01)
Impact of Reset Pulse Width on Gradual Conductance Programming in Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/TiO<sub>x</sub>-Based RRAM
حسب: Hyeonseong Lim, وآخرون
منشور في: (2025-06-01)
حسب: Hyeonseong Lim, وآخرون
منشور في: (2025-06-01)
Effect of Annealing Temperature for Ni/AlO<sub>x</sub>/Pt RRAM Devices Fabricated with Solution-Based Dielectric
حسب: Zongjie Shen, وآخرون
منشور في: (2019-07-01)
حسب: Zongjie Shen, وآخرون
منشور في: (2019-07-01)
Fully Coupled Electrothermal Simulation of Large RRAM Arrays in the “Thermal-House”
حسب: Da-Wei Wang, وآخرون
منشور في: (2019-01-01)
حسب: Da-Wei Wang, وآخرون
منشور في: (2019-01-01)
Design and Test of the In-Array Build-In Self-Test Scheme for the Embedded RRAM Array
حسب: Xiaole Cui, وآخرون
منشور في: (2019-01-01)
حسب: Xiaole Cui, وآخرون
منشور في: (2019-01-01)
Direct-Grown Helical-Shaped Tungsten-Oxide-Based Devices with Reconfigurable Selectivity for Memory Applications
حسب: Ying-Chen Chen, وآخرون
منشور في: (2022-10-01)
حسب: Ying-Chen Chen, وآخرون
منشور في: (2022-10-01)
Minimization of the Line Resistance Impact on Memdiode-Based Simulations of Multilayer Perceptron Arrays Applied to Pattern Recognition
حسب: Fernando Leonel Aguirre, وآخرون
منشور في: (2021-02-01)
حسب: Fernando Leonel Aguirre, وآخرون
منشور في: (2021-02-01)
Negative Differential Resistance Effect in Ru-Based RRAM Device Fabricated by Atomic Layer Deposition
حسب: Yulin Feng, وآخرون
منشور في: (2019-03-01)
حسب: Yulin Feng, وآخرون
منشور في: (2019-03-01)
Study on ion dynamics of hafnium oxide RRAM by electrode thermal effect
حسب: Sichen Qin, وآخرون
منشور في: (2023-03-01)
حسب: Sichen Qin, وآخرون
منشور في: (2023-03-01)
RTN and Annealing Related to Stress and Temperature in FIND RRAM Array
حسب: Chih Yuan Chen, وآخرون
منشور في: (2019-01-01)
حسب: Chih Yuan Chen, وآخرون
منشور في: (2019-01-01)
High-density via RRAM cell with multi-level setting by current compliance circuits
حسب: Yu-Cheng Hsieh, وآخرون
منشور في: (2024-03-01)
حسب: Yu-Cheng Hsieh, وآخرون
منشور في: (2024-03-01)
Investigation of solution-processed tungsten disulfide as switching layer in flexible resistive memory devices for performance and stability
حسب: Shalu Saini, وآخرون
منشور في: (2024-01-01)
حسب: Shalu Saini, وآخرون
منشور في: (2024-01-01)
Graphene-based RRAM devices for neural computing
حسب: Rajalekshmi T. R, وآخرون
منشور في: (2023-10-01)
حسب: Rajalekshmi T. R, وآخرون
منشور في: (2023-10-01)
In Quest of Nonfilamentary Switching: A Synergistic Approach of Dual Nanostructure Engineering to Improve the Variability and Reliability of Resistive Random‐Access‐Memory Devices
حسب: Siddheswar Maikap, وآخرون
منشور في: (2020-06-01)
حسب: Siddheswar Maikap, وآخرون
منشور في: (2020-06-01)
Design of an RRAM-Based Joint Model for Embedded Cellular Smartphone Self-Charging Device
حسب: Abhinav Vishwakarma, وآخرون
منشور في: (2025-09-01)
حسب: Abhinav Vishwakarma, وآخرون
منشور في: (2025-09-01)
Conduction Mechanism and Improved Endurance in HfO2-Based RRAM with Nitridation Treatment
حسب: Fang-Yuan Yuan, وآخرون
منشور في: (2017-10-01)
حسب: Fang-Yuan Yuan, وآخرون
منشور في: (2017-10-01)
Flexible Parylene C-Based RRAM Array for Neuromorphic Applications
حسب: Jo-Eun Kim, وآخرون
منشور في: (2022-01-01)
حسب: Jo-Eun Kim, وآخرون
منشور في: (2022-01-01)
Ternary encoder and decoder designs in RRAM and CNTFET technologies
حسب: Shams Ul Haq, وآخرون
منشور في: (2024-03-01)
حسب: Shams Ul Haq, وآخرون
منشور في: (2024-03-01)
Bipolar Resistive Switching Behavior of PVP-GQD/HfOx/ITO/Graphene Hybrid Flexible Resistive Random Access Memory
حسب: Jin Mo Kim, وآخرون
منشور في: (2021-11-01)
حسب: Jin Mo Kim, وآخرون
منشور في: (2021-11-01)
Operando diagnostic detection of interfacial oxygen ‘breathing’ of resistive random access memory by bulk-sensitive hard X-ray photoelectron spectroscopy
حسب: Gang Niu, وآخرون
منشور في: (2019-03-01)
حسب: Gang Niu, وآخرون
منشور في: (2019-03-01)
مواد مشابهة
-
Assessment of functional performance in self-rectifying passive crossbar arrays utilizing sneak path current
حسب: Ziang Chen, وآخرون
منشور في: (2024-10-01) -
An efficient read approach for memristive crossbar array
حسب: Pravanjan Samanta, وآخرون
منشور في: (2023-07-01) -
Analysis of Leakage Current of HfO<sub>2</sub>/TaO<sub><i>x</i></sub>-Based 3-D Vertical Resistive Random Access Memory Array
حسب: Zhisheng Chen, وآخرون
منشور في: (2021-05-01) -
Sneak Circuit Analysis: Lessons Learned from Near Miss Event
حسب: James Li
منشور في: (2017-03-01) -
Spike-Timing Dependent Plasticity in Unipolar Silicon Oxide RRAM Devices
حسب: Konstantin Zarudnyi, وآخرون
منشور في: (2018-02-01)
