中子源模型对氘氚等离子体中子学分析的影响

等离子体中子源是托卡马克中子学分析的重要输入,是连接核聚变等离子体物理和工程设计的桥梁。为了更精确地描绘中子壁负载(Neutron Wall Loading,NWL)的空间分布,开发了一组处理中子源和NWL的独立代码。对托卡马克中的氘氚聚变等离子体放电进行研究,构建了核聚变反应类型以及中子源释放模型,同时也建立了高能量中子对第一壁轰击的理论模型。基于托卡马克等离子体位形,采用“复丝”方法开展了中子源和NWL分布的数值模拟研究。研究结果表明,NWL最大值在外侧中平面附近,比在内侧中平面的高100%以上,应特别注意位于外侧中平面附近关键部件的辐射屏蔽和辐射防护。NWL的最小值位于顶部板或底部板,因...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:He jishu
المؤلفون الرئيسيون: 杨 文军, 龚 学余, 高 翔
التنسيق: مقال
اللغة:الصينية
منشور في: Science Press 2025-10-01
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://www.sciengine.com/doi/10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.240422
الوصف
الملخص:等离子体中子源是托卡马克中子学分析的重要输入,是连接核聚变等离子体物理和工程设计的桥梁。为了更精确地描绘中子壁负载(Neutron Wall Loading,NWL)的空间分布,开发了一组处理中子源和NWL的独立代码。对托卡马克中的氘氚聚变等离子体放电进行研究,构建了核聚变反应类型以及中子源释放模型,同时也建立了高能量中子对第一壁轰击的理论模型。基于托卡马克等离子体位形,采用“复丝”方法开展了中子源和NWL分布的数值模拟研究。研究结果表明,NWL最大值在外侧中平面附近,比在内侧中平面的高100%以上,应特别注意位于外侧中平面附近关键部件的辐射屏蔽和辐射防护。NWL的最小值位于顶部板或底部板,因此非中子诊断设备可优先考虑安装到顶部板和底部板。同时,还研究了密度峰化(Density Peaking,DP)因子对中子学分析的影响。随着密度峰化的增加,NWL在外侧中平面和内侧中平面的峰值均减小。然而,NWL的下降幅度非常小:当中子源峰值增加约1.5倍时,NWL的值仅下降了10%。因此,DP因子对托卡马克装置的NWL分布影响较小。最后,还研究了温度分布对中子学分析的影响。随着温度的增加,聚变功率和中子壁负载都是增加的,表明在托卡马克装置中等离子体温度对NWL分布具有显著影响。
تدمد:0253-3219