Discrete-Trap Effects on 3-D NAND Variability – Part II: Random Telegraph Noise

In Part II of this article we discuss the impact of a discrete treatment of traps on 3-D NAND Flash random telegraph noise (RTN). A higher RTN results when discrete traps are taken into account, that can only be explained by a stronger influence of the discrete charged traps on the current conductio...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

الحاوية / القاعدة:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
المؤلفون الرئيسيون:	Gerardo Malavena, Salvatore M. Amoroso, Andrew R. Brown, Plamen Asenov, Xi-Wei Lin, Victor Moroz, Mattia Giulianini, David Refaldi, Christian Monzio Compagnoni, Alessandro S. Spinelli
التنسيق:	مقال
اللغة:	الإنجليزية
منشور في:	IEEE 2024-01-01
الموضوعات:	3-DNAND Flash memories variability random telegraph noise discrete traps
الوصول للمادة أونلاين:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10643403/