Systematic Analysis of Spacer and Gate Length Scaling on Memory Characteristics in 3D NAND Flash Memory

This study investigates the impact of oxide/nitride (ON) pitch scaling on the memory performance of 3D NAND flash memory. We aim to enhance 3D NAND flash memory by systematically reducing the spacer length (Ls) and gate length (Lg) to achieve improved memory characteristics. Using TCAD simulations,...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Applied Sciences
المؤلفون الرئيسيون: Hee Young Bae, Seul Ki Hong, Jong Kyung Park
التنسيق: مقال
اللغة:الإنجليزية
منشور في: MDPI AG 2024-07-01
الموضوعات:
3D NAND flash memory
ON pitch scaling
gate length
spacer length
memory window
z-interference
الوصول للمادة أونلاين:https://www.mdpi.com/2076-3417/14/15/6689

الانترنت

https://www.mdpi.com/2076-3417/14/15/6689

مواد مشابهة