AlGaN/GaN Metal Oxide Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with Annealed TiO₂ as Passivation and Dielectric Layers

This paper reports on improved AlGaN/GaN metal oxide semiconductor high-electron mobility transistors (MOS-HEMTs). TiO₂ is used to form the dielectric and passivation layers. The TiO₂ film is characterized using X-ray photoemission spectroscopy (XPS), Ra...

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書誌詳細

出版年:	Micromachines
主要な著者:	Yu-Shyan Lin, Chi-Che Lu
フォーマット:	論文
言語:	英語
出版事項:	MDPI AG 2023-05-01
主題:	MOS-HEMT AlGaN GaN silicon substrate TiO<sub>2</sub> passivation
オンライン･アクセス:	https://www.mdpi.com/2072-666X/14/6/1183