Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator
The paper is devoted to optimization of SiGe-base HBT with respect to operation speed by means of numerical simulation. The influence of design parameters on fT is studied.
| الحاوية / القاعدة: | Journal of Telecommunications and Information Technology |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
National Institute of Telecommunications
2004-03-01
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://jtit.pl/jtit/article/view/231 |
