Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator

The paper is devoted to optimization of SiGe-base HBT with respect to operation speed by means of numerical simulation. The influence of design parameters on fT is studied.

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Journal of Telecommunications and Information Technology
المؤلف الرئيسي: Adam Linkowski
التنسيق: مقال
اللغة:الإنجليزية
منشور في: National Institute of Telecommunications 2004-03-01
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://jtit.pl/jtit/article/view/231