Circuit Models of Power MOSFETs Leading the Way of GaN HEMT Modelling—A Review

Gallium nitride high-electron-mobility transistor (GaN HEMT) is a key enabling technology for obtaining high-efficient and compact power electronic systems. At the design stage of a power converter, the proper modelling of the GaN HEMT is essential to benefit from their good features and to account...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Energies
المؤلفون الرئيسيون: Enrico Bottaro, Santi Agatino Rizzo, Nunzio Salerno
التنسيق: مقال
اللغة:الإنجليزية
منشور في: MDPI AG 2022-05-01
الموضوعات:
silicon MOSFET
silicon carbide (SiC)
SiC MOSFET
gallium nitride (GaN)
GaN HEMT
wide-bandgap semiconductor
الوصول للمادة أونلاين:https://www.mdpi.com/1996-1073/15/9/3415

الانترنت

https://www.mdpi.com/1996-1073/15/9/3415

مواد مشابهة