Selective Area Epitaxy of GaAs/Ge/Si Nanomembranes: A Morphological Study

We demonstrate the feasibility of growing GaAs nanomembranes on a plastically-relaxed Ge layer deposited on Si (111) by exploiting selective area epitaxy in MBE. Our results are compared to the case of the GaAs homoepitaxy to highlight the criticalities arising by switching to heteroepitaxy. We foun...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

الحاوية / القاعدة:	Crystals
المؤلفون الرئيسيون:	Monica Bollani, Alexey Fedorov, Marco Albani, Sergio Bietti, Roberto Bergamaschini, Francesco Montalenti, Andrea Ballabio, Leo Miglio, Stefano Sanguinetti
التنسيق:	مقال
اللغة:	الإنجليزية
منشور في:	MDPI AG 2020-01-01
الموضوعات:	selective-area-epitaxy gaas nanomembranes iii/v integration
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2073-4352/10/2/57