Improvement in Electrical Stability of a-IGZO TFTs Using Thinner Dual-Layer Dielectric Film

This study investigates the effect of gate insulators on thin-film transistors (TFTs) using an amorphous InGaZnO₄ (a-IGZO) channel layer. TFTs with single-layer Ta₂O₅ and dual-layer Ta₂O<sub>5</sub&g...

詳細記述

書誌詳細

出版年:	Metals
主要な著者:	Jong-Woo Kim, Hyun Kyu Seo, Su Yeon Lee, Minsoo Park, Min Kyu Yang, Byeong-Kwon Ju
フォーマット:	論文
言語:	英語
出版事項:	MDPI AG 2022-10-01
主題:	a-IGZO dual-layer dielectric high-<i>K</i> oxide TFT
オンライン･アクセス:	https://www.mdpi.com/2075-4701/12/10/1663