Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI

Для кристалів номінально чистого та легованого йодиду цезію досліджено взаємозв’язок радіаційного накопичення дефектів поверхні та приповерхневого шару кристалу, їх «агрегатного» стану з явищем термостимульованої екзоелектронної емісії. Визначено типи радіаційних дефектів – електронних і діркових це...

詳細記述

書誌詳細

出版年:	Хімія, фізика та технологія поверхні
主要な著者:	P. V. Galiy, T. N. Nenchuk, O. Ya. Tuziak, I. R. Jarovets
フォーマット:	論文
言語:	英語
出版事項:	Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine 2013-05-01
オンライン･アクセス:	https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215