Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI

Для кристалів номінально чистого та легованого йодиду цезію досліджено взаємозв’язок радіаційного накопичення дефектів поверхні та приповерхневого шару кристалу, їх «агрегатного» стану з явищем термостимульованої екзоелектронної емісії. Визначено типи радіаційних дефектів – електронних і діркових це...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Хімія, фізика та технологія поверхні
المؤلفون الرئيسيون: P. V. Galiy, T. N. Nenchuk, O. Ya. Tuziak, I. R. Jarovets
التنسيق: مقال
اللغة:الإنجليزية
منشور في: Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine 2013-05-01
الوصول للمادة أونلاين:https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215

مواد مشابهة