Double Node Upset Immune RHBD-14T SRAM Cell for Space and Satellite Applications

Deep sub-micron memory devices play a crucial role in space electronic applications due to their susceptibility to single-event upset and double-node upset types of soft errors. When a charged particle from space hit a scaled memory circuit, the critical charge of sensitive storage nodes drops, and...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:IEEE Access
المؤلفون الرئيسيون: Pavan Kumar Mukku, Rohit Lorenzo
التنسيق: مقال
اللغة:الإنجليزية
منشور في: IEEE 2023-01-01
الموضوعات:
Critical charge
double node upset (DNU)
ion track
PVT analysis
radiation hardening
sensitive node
الوصول للمادة أونلاين:https://ieeexplore.ieee.org/document/10235989/

الانترنت

https://ieeexplore.ieee.org/document/10235989/

مواد مشابهة