ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ

Роботу присвячено практичному визначенню  та порівнянню динамічних характеристик кремнієвого (Si) MOSFET, карбід кремнієвого (SiC) MOSFET та кремнієвого IGBT у разі роботи на активно-індуктивне навантаження, що є актуальним для електроприводів та статичних перетворювачів параметрів електричної енерг...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

الحاوية / القاعدة:	Технічна електродинаміка
المؤلفون الرئيسيون:	С.М. Ковбаса, Ю.В. Вербовий, Є.В. Коломійчук
التنسيق:	مقال
اللغة:	الإنجليزية
منشور في:	NAS of Ukraine, Institute of elecrodynamics 2025-09-01
الموضوعات:	напівпровідники з широкою забороненою зоною тест подвійним імпульсом силова електроніка si-mosfet sic-mosfet si-igbt втрати на перемикання електропривод високочастотна шім
الوصول للمادة أونلاين:	https://techned.org.ua/index.php/techned/article/view/1709