Simulation Study on the Structure Design of p-GaN/AlGaN/GaN HEMT-Based Ultraviolet Phototransistors

This work investigates the impacts of structural parameters on the performances of p-GaN/AlGaN/GaN HEMT-based ultraviolet (UV) phototransistors (PTs) using Silvaco Atlas. The simulation results show that a larger Al content or greater thickness for the AlGaN barrier layer can induce a higher two-dim...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Micromachines
المؤلفون الرئيسيون: Haiping Wang, Haifan You, Jiangui Yang, Minqiang Yang, Lu Wang, Hong Zhao, Zili Xie, Dunjun Chen
التنسيق: مقال
اللغة:الإنجليزية
منشور في: MDPI AG 2022-12-01
الموضوعات:
ultraviolet (UV)
phototransistors (PTs)
p-GaN/AGaN/GaN
HEMTs
Silvaco
simulation
الوصول للمادة أونلاين:https://www.mdpi.com/2072-666X/13/12/2210

الانترنت

https://www.mdpi.com/2072-666X/13/12/2210

مواد مشابهة