On the Characterization and Separation of Trapping and Ferroelectric Behavior in HfZrO FET

N-channel FETs with ferroelectric (FE) HfZrO gate oxide are fabricated, showing steep subthreshold slope under certain conditions. Possible origins of I<sub>D</sub>-V<sub>G</sub> hysteresis, the hysteresis versus subthreshold slope tradeoff, dependence on the bias voltage and...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:IEEE Journal of the Electron Devices Society
المؤلفون الرئيسيون: Md. Nur Kutubul Alam, Ben Kaczer, Lars-Ake Ragnarsson, Mihaela Popovici, Gerhard Rzepa, Naoto Horiguchi, Marc Heyns, Jan Van Houdt
التنسيق: مقال
اللغة:الإنجليزية
منشور في: IEEE 2019-01-01
الموضوعات:
Steep-slope FET
ferroelectric FET
trap characterization
الوصول للمادة أونلاين:https://ieeexplore.ieee.org/document/8667000/

الانترنت

https://ieeexplore.ieee.org/document/8667000/

مواد مشابهة