Ga-Sn-O Thin-Film Memristor and Analog Plasticity Characteristic

A Ga-Sn-O (GTO) thin-film memristor has been developed, and an analog plasticity characteristic has been observed. First, GTO thin-film memristors are fabricated by depositing three GTO layers in a stacked structure using sputtering. Next, the current-voltage characteristics are measured by varying...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:IEEE Journal of the Electron Devices Society
المؤلفون الرئيسيون: Daisuke Makioka, Shu Shiomi, Mutsumi Kimura
التنسيق: مقال
اللغة:الإنجليزية
منشور في: IEEE 2023-01-01
الموضوعات:
Ga-Sn-O (GTO)
thin-film memristor
analog plasticity
synapse element
neuromorphic system
الوصول للمادة أونلاين:https://ieeexplore.ieee.org/document/10061611/

الانترنت

https://ieeexplore.ieee.org/document/10061611/

مواد مشابهة