Ferromagnetism in Mn-doped Chalcopyrite AlGaP2 Semiconductor
The electronic property and the magnetism of AlGaMnP2 compound by 3.125 %, 6.25 %, and 9.375 % Mn concentrations were investigated using the first-principles calculations. The Mn-doped AlGaP2 chalcopyrite with or without defect of Al, Ga, or P atom yields a strong half-metallic ground state. The fer...
| الحاوية / القاعدة: | Журнал нано- та електронної фізики |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
Sumy State University
2016-06-01
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2016/2/articles/jnep_2016_V8_02011.pdf |
