InP高压合成炉设计
<正> InP是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具有独特的性质,在微波、光电器件、光集成等领域得到广泛应用。为了满足InP单晶的研究和生产的需要,我们参考国内外有关资料和经验,研制了结构简单、操作方便、安全可靠、能满足工艺要求的InP多晶高压合成炉。...
| Published in: | Guangtongxin yanjiu |
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| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Chinese |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
1986-01-01
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| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1986.04.006 |