New Super-Junction LDMOS Based on Poly-Si Thin-Film Transistors
A multi-channel super-junction lateral doubled-diffused MOSFET (SJ-LDMOS) that is developed from thin film transistor technology is proposed. To optimize the breakdown voltage (VBD) and to reduce the specific on-resistance (R<sub>SP</sub>), a new structure called REC-SJ LDMOS, with two s...
| الحاوية / القاعدة: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
IEEE
2016-01-01
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7543503/ |