Synthesis of High Surface Area—Group 13—Metal Oxides via Atomic Layer Deposition on Mesoporous Silica

The atomic layer deposition of gallium and indium oxide was investigated on mesoporous silica powder and compared to the related aluminum oxide process. The respective oxide (GaO<sub>x</sub>, InO<sub>x</sub>) was deposited using sequential dosing of trimethylgallium or trimet...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Nanomaterials
المؤلفون الرئيسيون: Robert Baumgarten, Piyush Ingale, Kristian Knemeyer, Raoul Naumann d’Alnoncourt, Matthias Driess, Frank Rosowski
التنسيق: مقال
اللغة:الإنجليزية
منشور في: MDPI AG 2022-04-01
الموضوعات:
atomic layer deposition
thermogravimetry
metal oxides
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
trimethylgallium
الوصول للمادة أونلاين:https://www.mdpi.com/2079-4991/12/9/1458

الانترنت

https://www.mdpi.com/2079-4991/12/9/1458

مواد مشابهة