Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View

by Katia Regina Akemi Sasaki, Marc Aoulaiche, Eddy Simoen, Cor Claeys, Joao Antonio Martino
Published 2015-04-01

Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.

by Victor De Bodt Sivieri
Published 2016

Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D).

by Sara Dereste dos Santos
Published 2014

Efeito do substrato em transistores SOI de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos.

by Vitor Tatsuo Itocazu
Published 2014

Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS.

by Jefferson Oliveira Amaro
Published 2009

Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados.

by Fernando Ferrari Teixeira
Published 2014

Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado.

by Vinicius Heltai Pacheco
Published 2011

Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.

by Carolina Davanzzo Gomes dos Santos
Published 2010

Estudo de transistores de porta tripla de corpo.

by Maria Glória Caño de Andrade
Published 2012

Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória.

by Talitha Nicoletti
Published 2013

Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.

by Paula Ghedini Der Agopian
Published 2008

Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs.

by Christian Nemeth Macambira
Published 2017

Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW).

by Vitor Tatsuo Itocazu
Published 2018

Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs.

by Milene Galeti
Published 2008

Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.

by Sara Dereste dos Santos
Published 2010

Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.

by Ricardo Cardoso Rangel
Published 2014

Estudo de transistores avançados de canal tensionado.

by Rudolf Theoderich Bühler
Published 2014

Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica.

by Michele Rodrigues
Published 2006

Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.

by Katia Regina Akemi Sasaki
Published 2016

Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.

by Sára Elizabeth Souza Brazão de Oliveira
Published 2007