روشهای سنتز و اتلاف الکترومغناطیسی کامپوزیت‌های دارای پلی‌آنیلین
فناوری‌های مبتنی بر جذب ریزموج نیازمند استفاده از دانش مواد جاذب در این محدوده بسامد هستند. ماهیت ریزموج در واقع میدان متناوب الکتریکی و مغناطیسی است که میتواند طی عبور از موادی با رسانندگی یا بخش موهومی ضریب دی‌الکتریک غیرصفر (اتلاف دی‌الکتریکی) و تراوایی مغناطیسی موهومی غیرصفر (اتلاف مغناطیسی) ج...
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Iran Polymer & Petrochemical Institute
2019-08-01
|
| Series: | Baspārish |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://basparesh.ippi.ac.ir/article_1625_d7cc873f013f3793a748629b029409b5.pdf |
| Summary: | فناوری‌های مبتنی بر جذب ریزموج نیازمند استفاده از دانش مواد جاذب در این محدوده بسامد هستند. ماهیت ریزموج در واقع میدان متناوب الکتریکی و مغناطیسی است که میتواند طی عبور از موادی با رسانندگی یا بخش موهومی ضریب دی‌الکتریک غیرصفر (اتلاف دی‌الکتریکی) و تراوایی مغناطیسی موهومی غیرصفر (اتلاف مغناطیسی) جذب شوند. در این میان، کامپوزیت‌های پلیمری جاذب ریزموج به‌دلیل وزن و هزینه ساخت کم و کارایی مناسب از اهمیت ویژه‌ای برخوردار هستند. ماتریس پلیمری این کامپوزیت‌ها عمدتاً مواد نارسانا بوده که میزبان مواد جاذب ریزموجی چون نانولوله‌های کربنی، فریت و تیتانیم دی‌اکسید است. بنابراین، افزایش رسانندگی ماتریس پلیمری میتواند در بهبود سازوکار جذب، به‌ویژه در جاذب‌های مغناطیسی نارسانا موثر باشد. در این میان، پلی‌آنیلین به‌عنوان پلیمری رسانا نقش موثری در بهبود کیفیت کامپوزیت‌های جاذب امواج الکترومغناطیس، به‌ویژه جاذب‌های مغناطیسی، در ناحیه ریزموج دارد. همچنین، بهبود خواص مختلف کامپوزیت‌های دارای پلی‌آنیلین وابستگی شدیدی به خواص سایر مواد شکل‌دهنده کامپوزیت، به‌ویژه روشهای ساخت آن دارد. بنابراین، توجه ویژه به انواع، ترکیبات و روشهای ساخت چنین کامپوزیت‌هایی و نقش کلیدی پلی‌آنیلین در بهبود خواص آن‌ها برای پژوهشگران این حوزه امری ضروری است. در این مقاله، پس از آشنایی با سازوکار جذب امواج الکترومغناطیس، انواع کامپوزیت‌های دارای پلی‌آنیلین همراه با سایر مواد آلی و غیرآلی، روشهای ساخت آن‌ها و ویژگی‌های موثر بر طراحی جاذب‌های ریزموج، به‌ویژه خواص دی‌الکتریک و مغناطیسی معرفی می‌شوند. |
|---|---|
| ISSN: | 2252-0449 2538-5445 |