مقاله پژوهشی: تأثیر شرایط و روش لایه‌نشانی در خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی
در سالهای اخیر سلول‌های خورشیدی با جاذب پروسکایت به دلیل افزایش فوقالعادۀ بازده، شدیداً مورد توجه محققان قرار گرفتهاند. در این پژوهش لایههای نازک پروسکایت متیل آمونیم سرب یدید (MAPbI3) به روش رشد دومرحلهای تهیه شده است. دو روش چرخشی‌ـ‌چرخشی و چرخشی‌ـ‌غوطهوری شد و ویژگیهای فیزیکی لایههای به‌د...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Alzahra University
2021-05-01
|
| Series: | فیزیک کاربردی ایران |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jap.alzahra.ac.ir/article_5508_1de6681f5ac19c0b0fdbea6de720c3ec.pdf |
| id |
doaj-2b41f669f4b14ee5bc150a2f201289f8 |
|---|---|
| record_format |
Article |
| spelling |
doaj-2b41f669f4b14ee5bc150a2f201289f82021-06-20T08:08:16ZfasAlzahra Universityفیزیک کاربردی ایران2783-10432783-10512021-05-01104556610.22051/ijap.2021.34610.11915508مقاله پژوهشی: تأثیر شرایط و روش لایه‌نشانی در خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتینفیسه معماریان0رضا رجب بلوکات1استادیار، دانشکدۀ فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایراندانش آموختۀ کارشناسی ارشد، دانشکدۀ فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایراندر سالهای اخیر سلول‌های خورشیدی با جاذب پروسکایت به دلیل افزایش فوقالعادۀ بازده، شدیداً مورد توجه محققان قرار گرفتهاند. در این پژوهش لایههای نازک پروسکایت متیل آمونیم سرب یدید (MAPbI3) به روش رشد دومرحلهای تهیه شده است. دو روش چرخشی‌ـ‌چرخشی و چرخشی‌ـ‌غوطهوری شد و ویژگیهای فیزیکی لایههای به‌دست‌آمده از این روشها مقایسه شد. ویژگیهای اپتیکی و ساختاری آن‌ها توسط روش‌های UV-VIS ، XRD و FE-SEM بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسیهای ساختاری، فاز مکعبی را برای پروسکایت MAPbI3 نشان داد. همچنین مورفولوژی سطح لایه‌ها در تصاویر FE-SEM مشخص شد، که تشکیل یک لایۀ منسجم، بدون هیچگونه ترک و ناپیوستگی را تأیید میکند. نتایج نشان داد که گاف اپتیکی نمونه‌ها در بازۀ eV 59/1- 54/1 است. همچنین اثر تغییر غلظت مادۀ اولیه بر خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 تهیه‌شده به هر دو روش، مشخص شد. نتایج نشان داد که در هر دو روش با افزایش غلظت PbI2 لایههای با ضخامت و جذب بیشتر ساخته میشود.https://jap.alzahra.ac.ir/article_5508_1de6681f5ac19c0b0fdbea6de720c3ec.pdfجاذب پروسکایتمتیل آمونیم سرب یدیدلایۀ نازکلایه‌نشانی چرخشیلایه‌نشانی غوطه‌وری |
| collection |
DOAJ |
| language |
fas |
| format |
Article |
| sources |
DOAJ |
| author |
نفیسه معماریان رضا رجب بلوکات |
| spellingShingle |
نفیسه معماریان رضا رجب بلوکات مقاله پژوهشی: تأثیر شرایط و روش لایه‌نشانی در خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی فیزیک کاربردی ایران جاذب پروسکایت متیل آمونیم سرب یدید لایۀ نازک لایه‌نشانی چرخشی لایه‌نشانی غوطه‌وری |
| author_facet |
نفیسه معماریان رضا رجب بلوکات |
| author_sort |
نفیسه معماریان |
| title |
مقاله پژوهشی: تأثیر شرایط و روش لایه‌نشانی در خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی |
| title_short |
مقاله پژوهشی: تأثیر شرایط و روش لایه‌نشانی در خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی |
| title_full |
مقاله پژوهشی: تأثیر شرایط و روش لایه‌نشانی در خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی |
| title_fullStr |
مقاله پژوهشی: تأثیر شرایط و روش لایه‌نشانی در خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی |
| title_full_unstemmed |
مقاله پژوهشی: تأثیر شرایط و روش لایه‌نشانی در خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی |
| title_sort |
مقاله پژوهشی: تأثیر شرایط و روش لایه‌نشانی در خواص فیزیکی لایههای mapbi3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی |
| publisher |
Alzahra University |
| series |
فیزیک کاربردی ایران |
| issn |
2783-1043 2783-1051 |
| publishDate |
2021-05-01 |
| description |
در سالهای اخیر سلول‌های خورشیدی با جاذب پروسکایت به دلیل افزایش فوقالعادۀ بازده، شدیداً مورد توجه محققان قرار گرفتهاند. در این پژوهش لایههای نازک پروسکایت متیل آمونیم سرب یدید (MAPbI3) به روش رشد دومرحلهای تهیه شده است. دو روش چرخشی‌ـ‌چرخشی و چرخشی‌ـ‌غوطهوری شد و ویژگیهای فیزیکی لایههای به‌دست‌آمده از این روشها مقایسه شد. ویژگیهای اپتیکی و ساختاری آن‌ها توسط روش‌های UV-VIS ، XRD و FE-SEM بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسیهای ساختاری، فاز مکعبی را برای پروسکایت MAPbI3 نشان داد. همچنین مورفولوژی سطح لایه‌ها در تصاویر FE-SEM مشخص شد، که تشکیل یک لایۀ منسجم، بدون هیچگونه ترک و ناپیوستگی را تأیید میکند. نتایج نشان داد که گاف اپتیکی نمونه‌ها در بازۀ eV 59/1- 54/1 است. همچنین اثر تغییر غلظت مادۀ اولیه بر خواص فیزیکی لایههای MAPbI3 تهیه‌شده به هر دو روش، مشخص شد. نتایج نشان داد که در هر دو روش با افزایش غلظت PbI2 لایههای با ضخامت و جذب بیشتر ساخته میشود. |
| topic |
جاذب پروسکایت متیل آمونیم سرب یدید لایۀ نازک لایه‌نشانی چرخشی لایه‌نشانی غوطه‌وری |
| url |
https://jap.alzahra.ac.ir/article_5508_1de6681f5ac19c0b0fdbea6de720c3ec.pdf |
| work_keys_str_mv |
AT nfyshmʿmạryạn mqạlhpzẖwhsẖytạtẖyrsẖrạyṭwrwsẖlạyhnsẖạnydrkẖwạṣfyzyḵylạyhhạymapbi3bhmnẓwrạstfạdhdrslwlkẖwrsẖydyprwsḵạyty AT rḍạrjbblwḵạt mqạlhpzẖwhsẖytạtẖyrsẖrạyṭwrwsẖlạyhnsẖạnydrkẖwạṣfyzyḵylạyhhạymapbi3bhmnẓwrạstfạdhdrslwlkẖwrsẖydyprwsḵạyty |
| _version_ |
1721370544299835392 |