PROPIEDADES ELECTRÓNICAS DE SISTEMAS TIPO PANAL DE ABEJAS EN DOS DIMENSIONES. UN ESTUDIO AB INITIO
Las novedosas propiedades del grafeno han motivado la búsqueda de materiales que presenten características similares. En el presente artículo se estudian la estabilidad química y la estructura de bandas de monocapas hexagonales de GaAs y GaN, usando un formalismo de primeros principios. Los resultad...
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Universidad Nacional de Colombia
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doaj-b206236b74a44820af01180e6dd586cb2020-11-24T20:41:40ZengUniversidad Nacional de ColombiaMomento0121-44702500-80132015-01-010501941312PROPIEDADES ELECTRÓNICAS DE SISTEMAS TIPO PANAL DE ABEJAS EN DOS DIMENSIONES. UN ESTUDIO AB INITIOÁngela M. Rojas-Cuervo0Karen M. Fonseca-Romero1Rafael R. Rey-González2Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá Carrera 30 Calle 45-03, CP 111321, Bogotá, Colombia.Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá Carrera 30 Calle 45-03, CP 111321, Bogotá, Colombia.Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá Carrera 30 Calle 45-03, CP 111321, Bogotá, Colombia.Las novedosas propiedades del grafeno han motivado la búsqueda de materiales que presenten características similares. En el presente artículo se estudian la estabilidad química y la estructura de bandas de monocapas hexagonales de GaAs y GaN, usando un formalismo de primeros principios. Los resultados obtenidos mediante el código SIESTA, como implementación de la Teoría del Funcional de la Densidad, muestran que el GaAs (GaN) es un semiconductor con una brecha de energía prohibida indirecta (directa)https://revistas.unal.edu.co/index.php/momento/article/view/53390Monocapas hexagonalesPropiedades electrónicasDFTDOS |
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Las novedosas propiedades del grafeno han motivado la búsqueda de materiales que presenten características similares. En el presente artículo se estudian la estabilidad química y la estructura de bandas de monocapas hexagonales de GaAs y GaN, usando un formalismo de primeros principios.
Los resultados obtenidos mediante el código SIESTA, como implementación de la Teoría del Funcional de la Densidad, muestran que el GaAs (GaN) es un semiconductor con una brecha de energía prohibida indirecta (directa) |
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