OSILATOR BERBASIS GALLIUM ARSENIDE (GaAs)

• Main Author: Andreas Ardian Febrianto
• Format: Article
• Language: English
• Published: Universitas Kristen Satya Wacana 2014-04-01
• Series: Techne
• Subjects: gallium arsenide; osilator
• Online Access: http://ojs.jurnaltechne.org/index.php/techne/article/view/95

Gallium Arsenide (GaAs) merupakan bahan semikonduktor majemuk Penggunaan GaAs sebagai salahsatu bahan untuk semikonduktor sudah diteliti sejak lama, hanya saja penggunaan dan produksi semikonduktor berbahan GaAs yang ada saat ini masih sangat terbatas. Beberapa keuntungan penggunaan GaAs dibandingkan dengan Silikon (Si) adalah semikonduktor berbahan GaAs mempunyai kecepatan yang lebih cepat dibandingkan dengan Si,semikonduktor berbahan GaAs bisa beroperasi untuk frekuensi microwave sedangkan semikonduktor berbahan Si tidak bisa secara efektif berfungsi,semikonduktor berbahan GaAs mempunyai jangkauan temperatur kerja yang lebih lebar. Peranti - peranti dengan bahan GaAs dapat menoleransi jangkauan temperatur antara – 2000 C hingga 2000 C,dan hambatan jenis ( resistivity ) intrinsik yang lebih tinggi sehingga dapat memudahkan isolasi dari bermacam-macam peranti dalam satu landasan. Komponen elektronika dioda Gunn dan dioda IMPATT yang berbasis GaAs digunakan dalam perancangan osilator berbasis GaAs. Osilator dioda Gunn dan dioda IMPATT mampu bekerja pada fekuensi microwave dengan konsumsi daya yang rendah.