Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation

L'ESSOR DES TÉLÉCOMMUNICATIONS À L'ÉCHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXÈME SIÈCLE A ÉTÉ RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RÉSEAUX À BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNÉES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D�...

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Bibliographic Details
Main Author: Kahn, Mathias
Language:FRE
Published: Université Paris Sud - Paris XI 2004
Subjects:
INP
TBH
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/PDF/tel-00006792.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/ANNEX/tel-00006792.pdf
id ndltd-CCSD-oai-tel.archives-ouvertes.fr-tel-00006792
record_format oai_dc
spelling ndltd-CCSD-oai-tel.archives-ouvertes.fr-tel-000067922013-01-07T19:11:41Z http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/PDF/tel-00006792.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/ANNEX/tel-00006792.pdf Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation Kahn, Mathias [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics TRANSISTOR BIPOLAIRE HETEROJONCTION GAINAS INP TRANSPORT MODELE EPITAXIE PROCESS MICROELECTRONIQUE SEMI-CONDUCTEUR TECHNOLOGIE TBH COMPOSANT L'ESSOR DES TÉLÉCOMMUNICATIONS À L'ÉCHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXÈME SIÈCLE A ÉTÉ RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RÉSEAUX À BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNÉES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D'INFORMATION EN AMONT ET EN AVAL DE LA FIBRE REQUIERT DES CIRCUITS ÉLECTRONIQUES NUMÉRIQUES ET ANALOGIQUES TRAITANT DES DÉBITS DE DONNÉES SUPÉRIEURS À 40GB/S, CE QUI IMPLIQUE L'UTILISATION DE COMPOSANTS TRÈS RAPIDES, AVEC DES FRÉQUENCES DE TRANSITION AU-DELÀ DE 150GHZ. GRÂCE AUX REMARQUABLES PROPRIÉTÉS DE LA FAMILLE DE MATÉRIAUX III-V EN TERMES DE TRANSPORT ÉLECTRIQUE, LE TRANSISTOR BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION GAINAS/INP SE CLASSE COMME L'UN DES TRANSISTORS LES PLUS RAPIDES ACTUELLEMENT, ET PERMET LA RÉALISATION DE TELS CIRCUITS OPÉRATIONNELS À TRÈS HAUTE FRÉQUENCE. LA MISE EN PLACE D'UNE FILIÈRE COMPLÈTE DE FABRICATION DE CIRCUITS À BASE DE TBH NÉCESSITE QUE SOIT MAÎTRISÉ UN GRAND NOMBRE D'ÉTAPES. UN CERTAIN NOMBRE D'ENTRE ELLES TOUCHE DIRECTEMENT AU COMPOSANT: CONCEPTION, ÉPITAXIE, FABRICATION TECHNOLOGIQUE, CARACTÉRISATION... A CES ÉTAPES DOIT ÊTRE AJOUTÉE UNE CERTAINE COMPRÉHENSION DES PHÉNOMÈNES PHYSIQUES INTERVENANT DANS LE DISPOSITIF. DANS CE TRAVAIL DE THÈSE, LES PROBLÉMATIQUES LIÉES À L'OPTIMISATION DU TBH GAINAS/INP, AINSI QUE CERTAINES QUESTIONS RELATIVES AUX MÉCANISMES PHYSIQUES MIS EN JEU SONT PRÉSENTÉES. 2004-06-02 FRE PhD thesis Université Paris Sud - Paris XI
collection NDLTD
language FRE
sources NDLTD
topic [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
TRANSISTOR
BIPOLAIRE
HETEROJONCTION
GAINAS
INP
TRANSPORT
MODELE
EPITAXIE
PROCESS
MICROELECTRONIQUE
SEMI-CONDUCTEUR
TECHNOLOGIE
TBH
COMPOSANT
spellingShingle [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
TRANSISTOR
BIPOLAIRE
HETEROJONCTION
GAINAS
INP
TRANSPORT
MODELE
EPITAXIE
PROCESS
MICROELECTRONIQUE
SEMI-CONDUCTEUR
TECHNOLOGIE
TBH
COMPOSANT
Kahn, Mathias
Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation
description L'ESSOR DES TÉLÉCOMMUNICATIONS À L'ÉCHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXÈME SIÈCLE A ÉTÉ RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RÉSEAUX À BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNÉES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D'INFORMATION EN AMONT ET EN AVAL DE LA FIBRE REQUIERT DES CIRCUITS ÉLECTRONIQUES NUMÉRIQUES ET ANALOGIQUES TRAITANT DES DÉBITS DE DONNÉES SUPÉRIEURS À 40GB/S, CE QUI IMPLIQUE L'UTILISATION DE COMPOSANTS TRÈS RAPIDES, AVEC DES FRÉQUENCES DE TRANSITION AU-DELÀ DE 150GHZ. GRÂCE AUX REMARQUABLES PROPRIÉTÉS DE LA FAMILLE DE MATÉRIAUX III-V EN TERMES DE TRANSPORT ÉLECTRIQUE, LE TRANSISTOR BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION GAINAS/INP SE CLASSE COMME L'UN DES TRANSISTORS LES PLUS RAPIDES ACTUELLEMENT, ET PERMET LA RÉALISATION DE TELS CIRCUITS OPÉRATIONNELS À TRÈS HAUTE FRÉQUENCE. LA MISE EN PLACE D'UNE FILIÈRE COMPLÈTE DE FABRICATION DE CIRCUITS À BASE DE TBH NÉCESSITE QUE SOIT MAÎTRISÉ UN GRAND NOMBRE D'ÉTAPES. UN CERTAIN NOMBRE D'ENTRE ELLES TOUCHE DIRECTEMENT AU COMPOSANT: CONCEPTION, ÉPITAXIE, FABRICATION TECHNOLOGIQUE, CARACTÉRISATION... A CES ÉTAPES DOIT ÊTRE AJOUTÉE UNE CERTAINE COMPRÉHENSION DES PHÉNOMÈNES PHYSIQUES INTERVENANT DANS LE DISPOSITIF. DANS CE TRAVAIL DE THÈSE, LES PROBLÉMATIQUES LIÉES À L'OPTIMISATION DU TBH GAINAS/INP, AINSI QUE CERTAINES QUESTIONS RELATIVES AUX MÉCANISMES PHYSIQUES MIS EN JEU SONT PRÉSENTÉES.
author Kahn, Mathias
author_facet Kahn, Mathias
author_sort Kahn, Mathias
title Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation
title_short Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation
title_full Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation
title_fullStr Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation
title_full_unstemmed Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation
title_sort transistor bipolaire à hététrojonction gainas/inp pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation
publisher Université Paris Sud - Paris XI
publishDate 2004
url http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/PDF/tel-00006792.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/ANNEX/tel-00006792.pdf
work_keys_str_mv AT kahnmathias transistorbipolaireahetetrojonctiongainasinppourcircuitsultrarapidesstructurefabricationetcaracterisation
_version_ 1716456245775302656