Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation
L'ESSOR DES TÉLÉCOMMUNICATIONS À L'ÉCHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXÈME SIÈCLE A ÉTÉ RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RÉSEAUX À BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNÉES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D...
Main Author: | |
---|---|
Language: | FRE |
Published: |
Université Paris Sud - Paris XI
2004
|
Subjects: | |
Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/PDF/tel-00006792.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/ANNEX/tel-00006792.pdf |
id |
ndltd-CCSD-oai-tel.archives-ouvertes.fr-tel-00006792 |
---|---|
record_format |
oai_dc |
spelling |
ndltd-CCSD-oai-tel.archives-ouvertes.fr-tel-000067922013-01-07T19:11:41Z http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/PDF/tel-00006792.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/ANNEX/tel-00006792.pdf Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation Kahn, Mathias [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics TRANSISTOR BIPOLAIRE HETEROJONCTION GAINAS INP TRANSPORT MODELE EPITAXIE PROCESS MICROELECTRONIQUE SEMI-CONDUCTEUR TECHNOLOGIE TBH COMPOSANT L'ESSOR DES TÉLÉCOMMUNICATIONS À L'ÉCHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXÈME SIÈCLE A ÉTÉ RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RÉSEAUX À BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNÉES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D'INFORMATION EN AMONT ET EN AVAL DE LA FIBRE REQUIERT DES CIRCUITS ÉLECTRONIQUES NUMÉRIQUES ET ANALOGIQUES TRAITANT DES DÉBITS DE DONNÉES SUPÉRIEURS À 40GB/S, CE QUI IMPLIQUE L'UTILISATION DE COMPOSANTS TRÈS RAPIDES, AVEC DES FRÉQUENCES DE TRANSITION AU-DELÀ DE 150GHZ. GRÂCE AUX REMARQUABLES PROPRIÉTÉS DE LA FAMILLE DE MATÉRIAUX III-V EN TERMES DE TRANSPORT ÉLECTRIQUE, LE TRANSISTOR BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION GAINAS/INP SE CLASSE COMME L'UN DES TRANSISTORS LES PLUS RAPIDES ACTUELLEMENT, ET PERMET LA RÉALISATION DE TELS CIRCUITS OPÉRATIONNELS À TRÈS HAUTE FRÉQUENCE. LA MISE EN PLACE D'UNE FILIÈRE COMPLÈTE DE FABRICATION DE CIRCUITS À BASE DE TBH NÉCESSITE QUE SOIT MAÎTRISÉ UN GRAND NOMBRE D'ÉTAPES. UN CERTAIN NOMBRE D'ENTRE ELLES TOUCHE DIRECTEMENT AU COMPOSANT: CONCEPTION, ÉPITAXIE, FABRICATION TECHNOLOGIQUE, CARACTÉRISATION... A CES ÉTAPES DOIT ÊTRE AJOUTÉE UNE CERTAINE COMPRÉHENSION DES PHÉNOMÈNES PHYSIQUES INTERVENANT DANS LE DISPOSITIF. DANS CE TRAVAIL DE THÈSE, LES PROBLÉMATIQUES LIÉES À L'OPTIMISATION DU TBH GAINAS/INP, AINSI QUE CERTAINES QUESTIONS RELATIVES AUX MÉCANISMES PHYSIQUES MIS EN JEU SONT PRÉSENTÉES. 2004-06-02 FRE PhD thesis Université Paris Sud - Paris XI |
collection |
NDLTD |
language |
FRE |
sources |
NDLTD |
topic |
[SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics TRANSISTOR BIPOLAIRE HETEROJONCTION GAINAS INP TRANSPORT MODELE EPITAXIE PROCESS MICROELECTRONIQUE SEMI-CONDUCTEUR TECHNOLOGIE TBH COMPOSANT |
spellingShingle |
[SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics TRANSISTOR BIPOLAIRE HETEROJONCTION GAINAS INP TRANSPORT MODELE EPITAXIE PROCESS MICROELECTRONIQUE SEMI-CONDUCTEUR TECHNOLOGIE TBH COMPOSANT Kahn, Mathias Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation |
description |
L'ESSOR DES TÉLÉCOMMUNICATIONS À L'ÉCHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXÈME SIÈCLE A ÉTÉ RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RÉSEAUX À BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNÉES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D'INFORMATION EN AMONT ET EN AVAL DE LA FIBRE REQUIERT DES CIRCUITS ÉLECTRONIQUES NUMÉRIQUES ET ANALOGIQUES TRAITANT DES DÉBITS DE DONNÉES SUPÉRIEURS À 40GB/S, CE QUI IMPLIQUE L'UTILISATION DE COMPOSANTS TRÈS RAPIDES, AVEC DES FRÉQUENCES DE TRANSITION AU-DELÀ DE 150GHZ. GRÂCE AUX REMARQUABLES PROPRIÉTÉS DE LA FAMILLE DE MATÉRIAUX III-V EN TERMES DE TRANSPORT ÉLECTRIQUE, LE TRANSISTOR BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION GAINAS/INP SE CLASSE COMME L'UN DES TRANSISTORS LES PLUS RAPIDES ACTUELLEMENT, ET PERMET LA RÉALISATION DE TELS CIRCUITS OPÉRATIONNELS À TRÈS HAUTE FRÉQUENCE. LA MISE EN PLACE D'UNE FILIÈRE COMPLÈTE DE FABRICATION DE CIRCUITS À BASE DE TBH NÉCESSITE QUE SOIT MAÎTRISÉ UN GRAND NOMBRE D'ÉTAPES. UN CERTAIN NOMBRE D'ENTRE ELLES TOUCHE DIRECTEMENT AU COMPOSANT: CONCEPTION, ÉPITAXIE, FABRICATION TECHNOLOGIQUE, CARACTÉRISATION... A CES ÉTAPES DOIT ÊTRE AJOUTÉE UNE CERTAINE COMPRÉHENSION DES PHÉNOMÈNES PHYSIQUES INTERVENANT DANS LE DISPOSITIF. DANS CE TRAVAIL DE THÈSE, LES PROBLÉMATIQUES LIÉES À L'OPTIMISATION DU TBH GAINAS/INP, AINSI QUE CERTAINES QUESTIONS RELATIVES AUX MÉCANISMES PHYSIQUES MIS EN JEU SONT PRÉSENTÉES. |
author |
Kahn, Mathias |
author_facet |
Kahn, Mathias |
author_sort |
Kahn, Mathias |
title |
Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation |
title_short |
Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation |
title_full |
Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation |
title_fullStr |
Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation |
title_full_unstemmed |
Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation |
title_sort |
transistor bipolaire à hététrojonction gainas/inp pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation |
publisher |
Université Paris Sud - Paris XI |
publishDate |
2004 |
url |
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/PDF/tel-00006792.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/ANNEX/tel-00006792.pdf |
work_keys_str_mv |
AT kahnmathias transistorbipolaireahetetrojonctiongainasinppourcircuitsultrarapidesstructurefabricationetcaracterisation |
_version_ |
1716456245775302656 |