Transistor Bipolaire à Hététrojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation
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Language: | FRE |
Published: |
Université Paris Sud - Paris XI
2004
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Subjects: | |
Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006792 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/PDF/tel-00006792.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/70/73/ANNEX/tel-00006792.pdf |