Transport dépendant du spin dans des doubles jonctions tunnel magnétiques

• Main Author: Rodary, Guillemin
• Language: FRE
• Published: Université Paris-Diderot - Paris VII 2004
• Subjects: [PHYS:COND] Physics/Condensed Matter; [PHYS:PHYS] Physics/Physics; Magnétisme; électronique de spin; couches minces; nanophysique; transistor; transport électronique; composants; mémoires magnétiques; jonctions tunnel
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008574; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/77/73/PDF/tel-00008574.pdf

L'objectif de ce travail a été la détection d'un magnéto-courant dans le transistor magnétique à base de double jonction tunnel. Ce magnéto-courant a pour origine l'émission d'un courant d'électrons chauds subissant un transport balistique et étant polarisé en spin. Des échantillons ont été élaborés par pulvérisation cathodique. Une technique innovante de prise de contact électrique des trois électrodes d'une double jonction tunnel par lithographie et gravure ionique a été mise en oeuvre. Il a été montré l'influence de cette structuration des échantillons sur les propriétés de transport des jonctions tunnels magnétiques. Grâce aux trois contacts, il a été possible de comparer les propriétés individuelles de la jonction inférieure et de la jonction supérieure, et ainsi de montrer l'influence de la position de la jonction sur ses propriétés de magnétorésistance : la rugosité cumulative des couches entraîne une dégradation des propriétés de transport. Enfin, des mesures en configuration transistor ont été effectuées. L'injection d'un courant d'électrons chauds a été mise en évidence, ainsi que la détection d'un magnéto-courant collecté. Un courant de fuite est également collecté dont la proportion par rapport au courant d'électrons chauds a été quantifiée. Son origine et les moyens de diminuer son importance ont été discutés.