Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS)

ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTI...

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Main Author:	Guegan, Georges
Language:	FRE
Published:	Université Paul Sabatier - Toulouse III 1979
Subjects:	[SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics TRANSISTOR EFFET CHAMP TRANSISTOR MOS TRANSISTOR VMOS TRANSISTOR PUISSANCE REGIME DYNAMIQUE ANALYSE FONCTIONNEMENT CIRCUIT LARGE BANDE AMPLIFICATEUR BASSE FREQUENCE AMPLIFICATEUR HAUTE FREQUENCE
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Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS)

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