Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS)
ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTI...
Main Author: | Guegan, Georges |
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Language: | FRE |
Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
1979
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Subjects: | |
Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00178831 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/17/88/31/PDF/2034.pdf |
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