Étude par microscopie à force atomique en trois dimensions de l'évolution de la rugosité de bord de ligne lors de la fabrication d'une grille de transistor MOS

Étude par microscopie à force atomique en trois dimensions de l'évolution de la rugosité de bord de ligne lors de la fabrication d'une grille de transistor MOS

Ce travail de thèse s'inscrit dans le contexte de miniaturisation des transistors MOS afin de mener la technologie CMOS à ces dimensions ultimes.<br /> Avec les techniques actuelles de fabrication et pour des longueurs de grille de transistor inférieures à 30nm, les variations moyennes de...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Thiault, Jérôme
Language:	FRE
Published:	2007
Subjects:	[SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Microélectronique Transistor MOS Rugosité de bord Métrologie Microscope à force atomique Gravure plasma
Online Access:	http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00321961 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/32/19/61/PDF/Manuscript_These_Jerome_Thiault.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/32/19/61/ANNEX/soutenance_finale.ppt

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