Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices

Die epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung d...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Wang, Rui Ning
Other Authors: Riechert, Henning
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: Humboldt-Universität zu Berlin 2017
Subjects:
MBE
Online Access:http://edoc.hu-berlin.de/18452/18806
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/18806-9
http://dx.doi.org/10.18452/18135
id ndltd-HUMBOLT-oai-edoc.hu-berlin.de-18452-18806
record_format oai_dc
spelling ndltd-HUMBOLT-oai-edoc.hu-berlin.de-18452-188062020-02-04T03:08:44Z Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices Wang, Rui Ning Riechert, Henning Patella, Fulvia Calarco, Raffaella MBE Phasenwechselmaterial GeTe Sb2Te3 GeSbTe Chalkogenide Übergitter Röntgenstrukturanalyse RHEED Raman-Spektroskopie Resonanzstruktur Peierls-Instabilität Vermischung MBE phase-change materials GeTe Sb2Te3 GeSbTe chalcogenide superlattice X-ray diffraction reflection high-energy electron diffraction Raman spectroscopy resonant bonding Peierls distorsion intermixing 530 Physik UP 7550 ddc:530 Die epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung der GeTe Schicht von der Oberflächepassievierung abhängig ist; auf einer passivierten Fläche können verdrehte Domänen unterdrückt sein. Dieses Verhalten ähnelt dem, welches bei 2D Materialien zu erwarten wäre, und wird auf die Schwäche der Resonanten ungebundenen Zustände zurückgeführt, die durch Peierls Verzerrung noch schwächer werden. The growth by molecular beam epitaxy of GeTe and Sb2Te3/GeTe superlattices on three differently reconstructed Si(111) surfaces is demonstrated. Namely, these are the Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, and Si(111)−(1×1)−H reconstructions. Through X-ray diffraction, the epitaxial relationship of GeTe is shown to depend on the passivation of the surface; in-plane twisted and twinned domains could be suppressed on a passivated surface. This behavior which resembles what would be expected from lamellar materials, is attributed to the relative weakness of resonant dangling bonds, that are further weakened by Peierls distortion. 2017-08-08 doctoralThesis doc-type:doctoralThesis http://edoc.hu-berlin.de/18452/18806 urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/18806-9 http://dx.doi.org/10.18452/18135 eng Namensnennung - Nicht-kommerziell - Weitergabe unter gleichen Bedingungen 3.0 Deutschland http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/de/ application/pdf Humboldt-Universität zu Berlin
collection NDLTD
language English
format Doctoral Thesis
sources NDLTD
topic MBE
Phasenwechselmaterial
GeTe
Sb2Te3
GeSbTe
Chalkogenide Übergitter
Röntgenstrukturanalyse
RHEED
Raman-Spektroskopie
Resonanzstruktur
Peierls-Instabilität
Vermischung
MBE
phase-change materials
GeTe
Sb2Te3
GeSbTe
chalcogenide superlattice
X-ray diffraction
reflection high-energy electron diffraction
Raman spectroscopy
resonant bonding
Peierls distorsion
intermixing
530 Physik
UP 7550
ddc:530
spellingShingle MBE
Phasenwechselmaterial
GeTe
Sb2Te3
GeSbTe
Chalkogenide Übergitter
Röntgenstrukturanalyse
RHEED
Raman-Spektroskopie
Resonanzstruktur
Peierls-Instabilität
Vermischung
MBE
phase-change materials
GeTe
Sb2Te3
GeSbTe
chalcogenide superlattice
X-ray diffraction
reflection high-energy electron diffraction
Raman spectroscopy
resonant bonding
Peierls distorsion
intermixing
530 Physik
UP 7550
ddc:530
Wang, Rui Ning
Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
description Die epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung der GeTe Schicht von der Oberflächepassievierung abhängig ist; auf einer passivierten Fläche können verdrehte Domänen unterdrückt sein. Dieses Verhalten ähnelt dem, welches bei 2D Materialien zu erwarten wäre, und wird auf die Schwäche der Resonanten ungebundenen Zustände zurückgeführt, die durch Peierls Verzerrung noch schwächer werden. === The growth by molecular beam epitaxy of GeTe and Sb2Te3/GeTe superlattices on three differently reconstructed Si(111) surfaces is demonstrated. Namely, these are the Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, and Si(111)−(1×1)−H reconstructions. Through X-ray diffraction, the epitaxial relationship of GeTe is shown to depend on the passivation of the surface; in-plane twisted and twinned domains could be suppressed on a passivated surface. This behavior which resembles what would be expected from lamellar materials, is attributed to the relative weakness of resonant dangling bonds, that are further weakened by Peierls distortion.
author2 Riechert, Henning
author_facet Riechert, Henning
Wang, Rui Ning
author Wang, Rui Ning
author_sort Wang, Rui Ning
title Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
title_short Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
title_full Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
title_fullStr Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
title_full_unstemmed Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
title_sort epitaxial growth and characterization of gete and gete/sb2te3 superlattices
publisher Humboldt-Universität zu Berlin
publishDate 2017
url http://edoc.hu-berlin.de/18452/18806
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/18806-9
http://dx.doi.org/10.18452/18135
work_keys_str_mv AT wangruining epitaxialgrowthandcharacterizationofgeteandgetesb2te3superlattices
_version_ 1719311989187018752