Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
Die epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung d...
Main Author: | |
---|---|
Other Authors: | |
Format: | Doctoral Thesis |
Language: | English |
Published: |
Humboldt-Universität zu Berlin
2017
|
Subjects: | |
Online Access: | http://edoc.hu-berlin.de/18452/18806 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/18806-9 http://dx.doi.org/10.18452/18135 |
id |
ndltd-HUMBOLT-oai-edoc.hu-berlin.de-18452-18806 |
---|---|
record_format |
oai_dc |
spelling |
ndltd-HUMBOLT-oai-edoc.hu-berlin.de-18452-188062020-02-04T03:08:44Z Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices Wang, Rui Ning Riechert, Henning Patella, Fulvia Calarco, Raffaella MBE Phasenwechselmaterial GeTe Sb2Te3 GeSbTe Chalkogenide Übergitter Röntgenstrukturanalyse RHEED Raman-Spektroskopie Resonanzstruktur Peierls-Instabilität Vermischung MBE phase-change materials GeTe Sb2Te3 GeSbTe chalcogenide superlattice X-ray diffraction reflection high-energy electron diffraction Raman spectroscopy resonant bonding Peierls distorsion intermixing 530 Physik UP 7550 ddc:530 Die epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung der GeTe Schicht von der Oberflächepassievierung abhängig ist; auf einer passivierten Fläche können verdrehte Domänen unterdrückt sein. Dieses Verhalten ähnelt dem, welches bei 2D Materialien zu erwarten wäre, und wird auf die Schwäche der Resonanten ungebundenen Zustände zurückgeführt, die durch Peierls Verzerrung noch schwächer werden. The growth by molecular beam epitaxy of GeTe and Sb2Te3/GeTe superlattices on three differently reconstructed Si(111) surfaces is demonstrated. Namely, these are the Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, and Si(111)−(1×1)−H reconstructions. Through X-ray diffraction, the epitaxial relationship of GeTe is shown to depend on the passivation of the surface; in-plane twisted and twinned domains could be suppressed on a passivated surface. This behavior which resembles what would be expected from lamellar materials, is attributed to the relative weakness of resonant dangling bonds, that are further weakened by Peierls distortion. 2017-08-08 doctoralThesis doc-type:doctoralThesis http://edoc.hu-berlin.de/18452/18806 urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/18806-9 http://dx.doi.org/10.18452/18135 eng Namensnennung - Nicht-kommerziell - Weitergabe unter gleichen Bedingungen 3.0 Deutschland http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/de/ application/pdf Humboldt-Universität zu Berlin |
collection |
NDLTD |
language |
English |
format |
Doctoral Thesis |
sources |
NDLTD |
topic |
MBE Phasenwechselmaterial GeTe Sb2Te3 GeSbTe Chalkogenide Übergitter Röntgenstrukturanalyse RHEED Raman-Spektroskopie Resonanzstruktur Peierls-Instabilität Vermischung MBE phase-change materials GeTe Sb2Te3 GeSbTe chalcogenide superlattice X-ray diffraction reflection high-energy electron diffraction Raman spectroscopy resonant bonding Peierls distorsion intermixing 530 Physik UP 7550 ddc:530 |
spellingShingle |
MBE Phasenwechselmaterial GeTe Sb2Te3 GeSbTe Chalkogenide Übergitter Röntgenstrukturanalyse RHEED Raman-Spektroskopie Resonanzstruktur Peierls-Instabilität Vermischung MBE phase-change materials GeTe Sb2Te3 GeSbTe chalcogenide superlattice X-ray diffraction reflection high-energy electron diffraction Raman spectroscopy resonant bonding Peierls distorsion intermixing 530 Physik UP 7550 ddc:530 Wang, Rui Ning Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices |
description |
Die epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung der GeTe Schicht von der Oberflächepassievierung abhängig ist; auf einer passivierten Fläche können verdrehte Domänen unterdrückt sein. Dieses Verhalten ähnelt dem, welches bei 2D Materialien zu erwarten wäre, und wird auf die Schwäche der Resonanten ungebundenen Zustände zurückgeführt, die durch Peierls Verzerrung noch schwächer werden. === The growth by molecular beam epitaxy of GeTe and Sb2Te3/GeTe superlattices on three differently reconstructed Si(111) surfaces is demonstrated. Namely, these are the Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, and Si(111)−(1×1)−H reconstructions. Through X-ray diffraction, the epitaxial relationship of GeTe is shown to depend on the passivation of the surface; in-plane twisted and twinned domains could be suppressed on a passivated surface. This behavior which resembles what would be expected from lamellar materials, is attributed to the relative weakness of resonant dangling bonds, that are further weakened by Peierls distortion. |
author2 |
Riechert, Henning |
author_facet |
Riechert, Henning Wang, Rui Ning |
author |
Wang, Rui Ning |
author_sort |
Wang, Rui Ning |
title |
Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices |
title_short |
Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices |
title_full |
Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices |
title_fullStr |
Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices |
title_full_unstemmed |
Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices |
title_sort |
epitaxial growth and characterization of gete and gete/sb2te3 superlattices |
publisher |
Humboldt-Universität zu Berlin |
publishDate |
2017 |
url |
http://edoc.hu-berlin.de/18452/18806 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/18806-9 http://dx.doi.org/10.18452/18135 |
work_keys_str_mv |
AT wangruining epitaxialgrowthandcharacterizationofgeteandgetesb2te3superlattices |
_version_ |
1719311989187018752 |