Propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs
=== In the present work, we report on the electrical and optical properties of InAs self-assembled quantum dots in two different situations. First, we perfomed magnetotunneling measurements in stacked self-assembled quantum dot multilayers, with applied magnetic fields up to 12 T. We observe tunnel...
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Universidade Federal de Minas Gerais
2008
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ndltd-IBICT-oai-bibliotecadigital.ufmg.br-MTD2BR-ESCZ-7N4G3Z2019-01-21T18:03:33Z Propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs Andreza Germana da Silva Paulo Sérgio Soares Guimarães Paulo Sérgio Soares Guimarães Franklin Massami Matinaga Ricardo Wagner Nunes Alvaro José Magalhães Neves Yara Galvão Gobato Rodrigo Gribel Lacerda In the present work, we report on the electrical and optical properties of InAs self-assembled quantum dots in two different situations. First, we perfomed magnetotunneling measurements in stacked self-assembled quantum dot multilayers, with applied magnetic fields up to 12 T. We observe tunneling between quantum dot states in adjacent layers and at high magnetic fields we show evidence of tunneling through Zeeman- splitted quasi-zero dimensional states. Our results imply that the g factors between quantum dots in adjacent layers are strongly affected by the amount of confinement. In the second part of the work, we investigated single GaAs/AlGaAs pillars containing InAs quantum dots by microphotoluminescence. We measured circular pillars of different diameters and studied experimentally the effect of the quantum dot dipole orientation on the intensity of the photonic modes of microcavity pillars, with special attention to the higher energy modes. Our results imply that a percentage of the dots in our pillars has a significant degree of linear polarization, an assumption that has been experimentally confirmed. Neste trabalho, reportamos sobre as propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs em duas diferentes situações. Primeiramente, fizemos medidas de magnetotunelamento em multicamadas de pontos quânticos auto-organizados na presença de campos magnéticos de até 12 T. Observamos tunelamento entre estados de pontos quânticos pertencentes a camadas adjacentes e a elevados campos magnéticos, devido ao efeito Zeeman, nós mostramos evidências de tunelamento através de estados quasi-zero dimensionais com polariza&ção de spin. Comprovamos que os fatores g dos pontos quânticos de camadas adjacentes são fortemente afetados pela quantidade de confinamento. Na segunda parte do trabalho, através de medidas de microluminescência, investigamos pilares únicos de GaAs/AlGaAs contendo pontos quânticos de InAs. Medimos pilares circulares de diferentes diâmetros e estudamos experimentalmente o efeito da orientação do dipolo do ponto quântico sobre a intensidade dos modos fotônicos dos micropilares, dando especial atenção aos modos com mais elevadas energias. Nossos resultados implicam que uma porcentagem dos pontos quânticos em nossos pilares tem um grau significativo de polarização, uma argumentação que foi confirmada experimentalmente. 2008-06-16 info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/doctoralThesis http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-7N4G3Z por info:eu-repo/semantics/openAccess text/html Universidade Federal de Minas Gerais 32001010002P3 - FÍSICA32001010002P3 - FÍSICA UFMG BR reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFMG instname:Universidade Federal de Minas Gerais instacron:UFMG |
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=== In the present work, we report on the electrical and optical properties of
InAs self-assembled quantum dots in two different situations. First, we perfomed magnetotunneling measurements in stacked self-assembled quantum dot multilayers, with applied magnetic fields up to 12 T. We observe tunneling between quantum dot states in adjacent layers and at high magnetic fields we show evidence of tunneling through Zeeman- splitted quasi-zero dimensional states. Our results imply that the g factors between quantum dots in adjacent layers are strongly affected by the amount of confinement. In the second part of the work, we investigated single GaAs/AlGaAs pillars containing InAs quantum dots by microphotoluminescence. We measured circular pillars of different diameters and studied experimentally the effect of the quantum dot dipole orientation on the intensity of the photonic modes of microcavity pillars, with special attention to the higher energy modes. Our results imply that a percentage of the dots in our pillars has a significant degree of linear polarization, an assumption that has been experimentally confirmed. === Neste trabalho, reportamos sobre as propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs em duas diferentes situações. Primeiramente, fizemos medidas de magnetotunelamento em multicamadas de pontos quânticos auto-organizados na presença de campos magnéticos de até 12 T. Observamos tunelamento entre estados de pontos quânticos pertencentes a camadas adjacentes e a elevados campos magnéticos, devido ao efeito Zeeman, nós mostramos evidências de tunelamento através de estados quasi-zero dimensionais com polariza&ção de spin. Comprovamos que os fatores g dos pontos quânticos de camadas adjacentes são fortemente afetados pela quantidade de confinamento. Na segunda parte do trabalho, através de medidas de microluminescência, investigamos pilares únicos de GaAs/AlGaAs contendo pontos quânticos de InAs. Medimos pilares circulares de diferentes diâmetros e estudamos experimentalmente o efeito da orientação do dipolo do ponto quântico sobre a intensidade dos modos fotônicos dos micropilares, dando especial atenção aos modos com mais elevadas energias. Nossos resultados implicam que uma porcentagem dos pontos quânticos em nossos pilares tem um grau significativo de polarização, uma argumentação que foi confirmada experimentalmente. |
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