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Previous issue date: 2012-10-30 === Usando o método Teoria do Funcional da Densidade (DFT Density Funcional Theory), realizamos um estudo sistemático das propriedades estruturais, eletrônicas e magnéticas do composto Ni2MnGa quando átomos de Ga são substituídos gradativamente por átomos de Sn. Como principais resultados, observamos que nas ligas Heusler
Ni2MnGa1-xSnx (0 ≤ x ≤ 1), a substituição de Sn influencia diretamente no volume da célula da fase cúbica L21. Particularmente, observamos que, do ponto de vista de uma única célula convencional, há uma distorção tipo tetragonal da célula unitária devido ao tamanho do átomo de Sn, mas, em média (em todas as direções de ocupações), o
que observamos é um aumento linear do parâmetro de rede (ou do volume da célula L21) reduzindo as tensões internas, responsáveis pela transformação de fase martensítica observada na liga Heusler Ni2MnGa. A substituição de Sn favorece, por um lado, um aumento no momento magnético dos átomos de Mn nos sítios 4(a) da fase L21, mas, por outro lado, leva a uma diminuição dos momentos magnéticos dos átomos de Ni.
Esses comportamentos dos momentos magnéticos do Ni e do Mn geram uma redução gradual no momento magnético total das ligas Heusler Ni2MnGa1-xSnx em acordo com a observação experimental de que a magnetização da fase L21 decresce com o aumento da concentração de Sn. Levando em conta efeitos de desordens químicas entre os átomos de Mn e Ga (ou Sn) nos compostos puros Ni2MnZ (Z = Ga ou Sn), determinamos a configuração de spins mais provável para os estados antiferromagnéticos (AF-BII). Além disso, demonstramos que na liga Heusler Ni2MnGa os estados antiferromagnéticos são
energeticamente mais favoráveis do que no composto Ni2MnSn, explicando talvez a existência da transformação de fase martensítica observada no composto com Ga e ausência no composto com Sn.
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