Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS

• Main Author: Silva, Pablo Dutra da
• Other Authors: Universidade Federal de Santa Catarina
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: Florianópolis, SC 2012
• Subjects: Engenharia eletrica; Circuitos integrados
• Online Access: http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89313

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. === Made available in DSpace on 2012-10-22T19:21:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 233928.pdf: 1327332 bytes, checksum: d6a15031677dcf39c4baf31805ebf12f (MD5) === Neste trabalho, é proposto um modelo compacto para não-linearidades em transistores MOS desenvolvido com base nas equações de canal curto do modelo #Advanced Compact MOSFET# (ACM). As maiores vantagens deste modelo são a simplicidade de suas equações e a forma explícita com que se determinam as nãolinearidades do transistor MOS em função do nível de inversão. Além disso, são discutidas as causas físicas de um aumento de linearidade observado em inversão moderada, chamado #Sweet Spot#. Através de medidas, concluiu-se que efeitos de segunda ordem, principalmente a saturação da velocidade dos portadores em transistores de canal curto, são as principais causas do aumento de linearidade observado. In this work, a compact model for nonlinearities in MOS transistors derived from the short-channel equations of the Advanced Compact MOSFET (ACM) is proposed. The main advantages of the referred model are simplicity of the equations and the explicit determination of the nonlinearities of the MOSFET with respect to the inversion level. In addition, the physical causes of a linearity improvement observed in moderate inversion level, called #Sweet Spot#, are discussed. The measurements shown that second order effects, principally the carrier velocity saturation in short-channel transistors, are the main causes of the linearity improvement observed.