Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

Orientador : Ines Joekes === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica === Made available in DSpace on 2018-07-14T17:46:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Maia_IzaqueAlves_M.pdf: 13797451 bytes, checksum: 43aec3ddc8a6469ebf5462d910e4e172 (MD5) Previous issue dat...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Maia, Izaque Alves
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1988
Subjects:
Gálio
Arsênio
Lasers semicondutores
Epitaxia
Online Access:MAIA, Izaque Alves. Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe. 1988. 179f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/250437>. Acesso em: 14 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/250437

Internet

MAIA, Izaque Alves. Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe. 1988. 179f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/250437>. Acesso em: 14 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/250437

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