Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica

• Main Author: Furtado, Andre Santos de Oliveira
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 2009
• Subjects: Detectores; Detectores óticos; Semicondutores; Sensors; Optical detectors; Semiconductors
• Online Access: FURTADO, Andre Santos de Oliveira. Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica. 2009. 58 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/259294>. Acesso em: 15 ago. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259294

Orientadores: Jose Alexandre Diniz, Davies William de Lima Monteiro === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação === Made available in DSpace on 2018-08-15T05:03:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Furtado_AndreSantosdeOliveira_M.pdf: 1676950 bytes, checksum: 4a916b5f14986722791efe6f19d7618a (MD5) Previous issue date: 2009 === Resumo: Sensores de Pixel Ativo (APS) baseados em tecnologia nMOS simples e com alta razão de aspecto podem apresentar boa sensibilidade para fotodetecção e oferecer uma opção de baixo custo para circuitos de sensoreamento de imagens. Neste trabalho são apresentados o leiaute, fabricação e caracterização de fotodiodos, transitores e APSs construídos no Centro de Componentes Semicondutores (CCS). Todas as etapas do projeto foram realizadas no CCS, incluindo as máscaras litográficas, fabricadas em um processo óptico. Foi utilizado um processo nMOS de 5[j,m, de porta metálica, com uma camada de metal para interconexões e apenas quatro níveis de litografia. Os dispositivos apresentam resultados satisfatórios e compatíveis ao comportamento previsto em simulações SPICE, indicando que podem obter bom desempenho em circuitos para aplicações específicas, como sensores ópticos de posição e sensores de frente de onda, em diversas áreas, como astronomia, oftalmologia e microscopia de força atômica (AFM) === Abstract: Active Pixel Sensors (APS) based on a simple nMOS technology with high aspect ratio may present good sensitivity to photodetection and offer a low cost option for image sensing circuits. This work presents the layout, fabrication and characterization of photodiodes, transistors and APSs built at the Center for Semiconductor Components (CCS). All the process stages took place in CCS, including the manufacturing of the lithography masks through an optical process. The technology used was an nMOS, 5[j,m, metal gate, with a single metal layer for interconnections and only four lithography levels. The devices presented satisfactory results, compatible to the behavior predicted by SPICE simulations, suggesting a good performance in application specific circuits, such as optical position sensitive detectors and wavefront sensors, and in several fields, such as astronomy, ophthalmology and atomic force microscopy (AFM) === Mestrado === Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica === Mestre em Engenharia Elétrica