Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+)

• Main Author: Diniz, José Alexandre, 1964-
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1996
• Subjects: Implantação iônica; Filmes finos; Nitrogênio
• Online Access: DINIZ, José Alexandre. Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+). 1996. 140f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260463>. Acesso em: 21 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260463

Orientador: Peter Jurgen Tatsch === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica === Made available in DSpace on 2018-07-22T02:44:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Diniz_JoseAlexandre_D.pdf: 12386412 bytes, checksum: f0d41951da83f32542ac72976875a80f (MD5) Previous issue date: 1996 === Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através da implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2) e de óxido nítrico (NO+) com baixa energia em óxidos de silício crescidos termicamente sobre substratos de silício ou em substratos de silício com posterior oxidação térmica... Observação: O resumo na integra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital === Abstract: This work describes the formation and the characterization of ultra-thin and thin silicon oxynitride (SiOxNy) films by low-energy molecular nitrogen (N/) or nitric oxide (NO+) ion implantation in thermal silicon oxide (SiO2) grown on silicon substrate or into silicon substrate prior to thermal oxidation... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations === Doutorado === Doutor em Engenharia Elétrica