Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+)

Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+)

Orientador: Peter Jurgen Tatsch === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica === Made available in DSpace on 2018-07-22T02:44:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Diniz_JoseAlexandre_D.pdf: 12386412 bytes, checksum: f0d41951da83f32542ac72976875a80f (MD5) Pr...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Diniz, José Alexandre, 1964-
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1996
Subjects:
Implantação iônica
Filmes finos
Nitrogênio
Online Access:DINIZ, José Alexandre. Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+). 1996. 140f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260463>. Acesso em: 21 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260463

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