Variação da energia do gap em filmes finos de CdS
Orientador: Roberto de Toledo Assumpção, Jorge Ivan Cisneros === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica === Made available in DSpace on 2018-07-21T06:08:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Carneiro_LuizCarlosCunha_M.pdf: 13306398 bytes, checksum: a8c...
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1996
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ndltd-IBICT-oai-repositorio.unicamp.br-REPOSIP-2652002019-01-21T20:24:12Z Variação da energia do gap em filmes finos de CdS Band gap variation of CdS thin films Carneiro, Luiz Carlos Cunha UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS Cisneros, Jorge Ivan, 1930- Assumpção, Roberto de Toledo, 1954- Constantino, Cesar Ierardi, Maria Clara Filippini Filmes finos - Propriedades óticas Semicondutores Processos químicos Thin films - Optical properties Semiconductors Chemical processes Orientador: Roberto de Toledo Assumpção, Jorge Ivan Cisneros Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica Made available in DSpace on 2018-07-21T06:08:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Carneiro_LuizCarlosCunha_M.pdf: 13306398 bytes, checksum: a8cc72f601e22e70353938019781d5df (MD5) Previous issue date: 1996 Resumo: Filmes finos de CdS foram preparados sobre lâminas de vidro para microscopia e caracterizados morfológica, estrutural e opticamente. Os resultados de microscopia eletrônica (transmissão e varredura) mostraram que o filme é composto de duas camadas distintas: um depósito amorfo e uma segunda camada policristalina constituída por uma mistura de fases wurtzita e zinc blend (difração de elétrons e raios-X). Como resultado da existência destas camadas, da presença das fases alotrópicas e também de fIutuações estequiométricas, os filmes apresentaram variações nas propriedades ópticas, sendo de particular importância a variação da Eg da ordem de 100 meV em torno do gap óptico aceito para o CdS (Eg = 2,42 eV) Abstract: Cadmium sulphide have much technological attraction for their application on heterojunction optoelectronic devices, particularly solar cells. In this work we study thin films ofthis material, prepared by chemical bath deposition (CBD) process. Morphologic, structural and stoichiometric data are correlated to the optical properties, namely the energy gap (Eg). Scanning Electron Microscopy and Transmission Electron Diffraction showed that the whole film is composed as thin amorphous layer preceding a thick polycrystalline phase. Transmitance and refletance measurements carried out on specimens in the 0,4 - 2,4 um thickness range showed a variation in Eg (about 200 meV) which can be understood in terms of the other above mentioned properties (surface morphology, stoichiometry and this relative proportion of the amorphous to the crystalline phase) Mestrado Materiais e Processos de Fabricação Mestre em Engenharia Mecânica 1996 2018-07-21T06:08:40Z 2018-07-21T06:08:40Z 1996-02-28T00:00:00Z info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/masterThesis (Broch.) CARNEIRO, Luiz Carlos Cunha. Variação da energia do gap em filmes finos de CdS. 1996. 56p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/265200>. Acesso em: 21 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/265200 por info:eu-repo/semantics/openAccess 56p. : il. application/pdf [s.n.] Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Mecânica Programa de Pós-Graduação em Engenharia Mecânica reponame:Repositório Institucional da Unicamp instname:Universidade Estadual de Campinas instacron:UNICAMP |
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Previous issue date: 1996 === Resumo: Filmes finos de CdS foram preparados sobre lâminas de vidro para microscopia e caracterizados morfológica, estrutural e opticamente. Os resultados de microscopia eletrônica (transmissão e varredura) mostraram que o filme é composto de duas camadas distintas: um depósito amorfo e uma segunda camada policristalina constituída por uma mistura de fases wurtzita e zinc blend (difração de elétrons e raios-X). Como resultado da existência destas camadas, da presença das fases alotrópicas e também de fIutuações estequiométricas, os filmes apresentaram variações nas propriedades ópticas, sendo de particular importância a variação da Eg da ordem de 100 meV em torno do gap óptico aceito para o CdS (Eg = 2,42 eV) === Abstract: Cadmium sulphide have much technological attraction for their application on heterojunction optoelectronic devices, particularly solar cells. In this work we study thin films ofthis material, prepared by chemical bath deposition (CBD) process. Morphologic, structural and stoichiometric data are correlated to the optical properties, namely the energy gap (Eg). Scanning Electron Microscopy and Transmission Electron Diffraction showed that the whole film is composed as thin amorphous layer preceding a thick polycrystalline phase. Transmitance and refletance measurements carried out on specimens in the 0,4 - 2,4 um thickness range showed a variation in Eg (about 200 meV) which can be understood in terms of the other above mentioned properties (surface morphology, stoichiometry and this relative proportion of the amorphous to the crystalline phase) === Mestrado === Materiais e Processos de Fabricação === Mestre em Engenharia Mecânica |
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