Silício amorfo nitrogenado e hidrogenado para aplicações fotovoltáicas

• Main Author: Vilche Pena, Angel Fidel
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1984
• Subjects: Silício; Nitrogênio; Hidrogenação
• Online Access: VILCHE PENA, Angel Fidel. Silício amorfo nitrogenado e hidrogenado para aplicações fotovoltáicas. 1984. 54f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277062>. Acesso em: 16 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277062

Orientador: Rene Brenzikofer === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-16T06:54:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 VilchePena_AngelFidel_M.pdf: 838241 bytes, checksum: 58bdc8e3eeb50224c5e3f6e38678ad4c (MD5) Previous issue date: 1984 === Resumo: Este trabalho, faz um estudo dos compostos de silício-nitrogênio obtidos por descarga luminescente RF em atmosfera de silano e nitrogênio. Nos primeiros capítulos, são mostrados os métodos de crescimento dos filmes de silício-nitrogênio e descrito com grande detalhe o equipamento de descarga luminescente construído para o crescimento destes filmes, assim como o procedimento utilizado na formação dos compostos para obter uma boa reprodutibilidade nas suas características. Os parâmetros estudados no crescimento dos filmes foram a potência RF (15 W, 67 W e 183 W) e o conteúdo de silano na atmosfera de trabalho (74%, 62%, 48% e 29%). Um estudo sobre a posição dos eletrodos em relação ao substrato foi realizado e revelou uma distancia de 6 cm como apropriada para a obtenção de filmes de compostos de silício-nitrogênio com melhor qualidade do filme e determinação dos parâmetros ópticos dos mesmos. A caracterização óptica dos filmes foi feita através do estudo de transmitância do filme (tirado de um espectrofotômetro). A análise dos espectros, com a ajuda de um programa de computação, inclui a aplicação de diferentes modelos físicos (índice de refração, gap óptico, índice de refração do substrato, etc.). É mostrado também o equipamento empregado na caracterização elétrica dos filmes. Medidas de condutividade elétrica em função da temperatura são utilizadas para determinar a energia de ativação (e o nível de Fermi). Resultados sobre a velocidade de crescimento, índice de refração, gap óptico, energia de ativação e a evolução da densidade de estado perto das bandas estão apresentados. Este trabalho mostra que é possível crescer diversos tipos de compostos silício-nitrogênio, com características que vão desde o silício amorfo até o nitreto de silício Si3N4 === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física