Espalhamento magneto-Raman ressonante em semicondutor polar

• Main Author: Sampaio, Antonio Jose da Costa
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1977
• Subjects: Espalhamento (Física); Espectroscopia Raman; Física nuclear
• Online Access: SAMPAIO, Antonio Jose da Costa. Espalhamento magneto-Raman ressonante em semicondutor polar. 1977. 54 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277122>. Acesso em: 16 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277122

Orientador: Roberto Luzzi === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-16T05:44:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sampaio_AntonioJosedaCosta_M.pdf: 1233051 bytes, checksum: 3440ef1b63e6a990872a2e623df10e05 (MD5) Previous issue date: 1977 === Resumo: Neste trabalho discutimos o espalhamento Raman pelo sistema eletron-fónon LO na presença de um campo magnético constante no qual são os fonons os responsáveis diretos pelo processo. Estudamos um material semicondutor tipo n com pequena massa efetiva para campos tais que a frequência de ciclotron ( wc ) é aproximadamente igual a frequência da radiação incidente ( wl ) e daquela espalhada ( ws ). Para isso desenvolvemos um tratamento teórico onde, através de um. formalismo de matriz S e técnicas de propagadores no espaço dos momentos determinamos a Intensidade Integrada de espalhamento e a vida média dos estados eletrônicos. Completamos o trabalho com uma aplicação ao caso Específico do InSb onde discutimos uma série de pontos interessantes. Não são incluídos efeitos de temperatura === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física